第三代半导体产业数字化公共服务平台

西湖大学光电研究院院长仇旻当选欧洲科学院院士（MAE）。

AMD周二（5月6日）表示，由于美国对芯片实施的新限制措施，该公司预计今年将损失15亿美元的收入。

据中国科学院微电子所官网消息，随着集成电路密度不断提高，晶体管的工艺节点不断微缩，已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，广东工业大学副教授周贤达将受邀出席论坛，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性开关》的主题报告。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，通富微电子股份有限公司/通富研究院Power技术中心负责人邢卫兵受邀将出席论坛，并分享《新能源时代半导体封测技术与趋势》的主题报告，将围绕汽车半导体封装趋势等分享探讨。敬请关注！

近日，总投资50.6亿的安徽华鑫微纳集成电路有限公司8英寸MEMS晶圆生产线项目迎来最新进展。目前项目处于主要产品的工艺串线阶段

5月6日，半导体产业再添新动向，浙江#星曜半导体有限公司（Starshine）（以下简称星曜半导体）宣布，正式完成对韩国威盛（Wisol

近日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的3项面向光治疗的柔性LED光源测试标准已形成征求意见稿，现正式面向CS

英国南安普敦大学当地时间 4 月 30 日宣布开设全球第二家电子束光刻工厂。这是日本境外的首座同类设施，也是欧洲首个尖端半导体

4月30日，杭州城东智造大走廊富阳片区先进制造业项目重点项目签约活动在富阳举行。富阳发布消息称，活动签约项目28个，总投资额

近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density（具有高阈值电压稳定性和低界面态密度的Al2O3/原位GaON栅介质高电子迁移率晶体管研究）为题发表在学术期刊Applied Physics Letter

广东省进一步激发市场主体活力加快建设现代化产业体系的若干措施》印发。

2025年4月29日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2023）》（以下简称“报告”）在全体成员积极参与下，在广大专家支持把关下，重磅发布！

4月24日，芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约落户江阴霞客湾科学城，为江阴加快培育新质生产力、增强集成电路产业发展支撑力

4月23日，《2024年度产业技术创新战略联盟活跃度评价报告》发布会在北京举行。第三代半导体产业技术创新战略联盟获得2024年度活

参观完光谷、车谷的优秀企业后，我被武汉的创新氛围所打动，期望以后有更多的机会，能和武汉有合作。来自苏州的佑伦装备有限公司

垂直腔面发射激光器（VCSEL）凭借其低阈值、圆形光斑、单纵模、低温漂系数、高可靠性及易于二维集成的优点，广泛应用于泵浦源、

以华中科技大学为中心点，以2.5公里为半径画圆，近20平方公里的范围内，围绕科技相关的企业总量近4万家，并正在以月均300家的速

天眼查显示，泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布，申请公布日为2025年3月7