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一、工作站简介杭州镓仁半导体博士后工作站联合浙江大学博士后流动站。研究团队由中科院院士杨德仁领衔，博士后研究工作由浙江大

近日，经浙江省博士后工作办公室批准，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称镓仁半导体)成功获批设立浙江省博士后工作站，标志着镓仁

九峰山实验室（JFS Lab）向各科研机构提供氧化镓”Coupon to wafer”流片研发平台，同时提供多种科研级功率器件封装单管。

四月芳菲绘光谷，全球目光聚芯潮。4月23-25日，2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为一种发光器件的制备方法及发光器件的专利，公开号 CN 119836082 A

近日，致瞻科技与欧洲行业头部企业正式签署长期保障供货协议，凭借高可靠性碳化硅功率模块技术和液冷超充系统集成能力，成为该客

4月16日，美国Polar Semiconductor公司宣布与日本瑞萨电子株式会社（简称瑞萨电子）达成战略协议，获得其硅基氮化镓（GaN-on-Si

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由忱芯科

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2025年4月17日，捷捷微电披露接待调研公告，公司于4月16日接待博时基金、东北电子、东方基金、国联基金管理、国信证券等48家机构

4月18日，国新办召开新闻发布会，介绍2025年一季度工业和信息化发展情况。记者从会上获悉，今年一季度，作为新质生产力的重要组

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

总投资5100余万元建成后可助力龙游的半导体企业轻装上阵。近日，芯盟高等级功率半导体厂房竣工验收。4月9日上午，在芯盟高等级功

近期，全国建设项目环境信息公示平台发布了河北同光科技发展有限公司年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工环境保护验收公示。该项目

天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申

纳微半导体今日宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市

据中建一局建设发展公司官微消息，近日，中建一局建设发展公司中标日月新半导体（广州）有限公司新建项目一期土建及一般机电包工

2025年4月23-25日，第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。作为其中的重头戏

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