华灿光电股份有限公司副总裁王江波在SSLCHINA2017“芯片、封装与模组技术分会上做了“高光效LED照明及下一代LED显示技术的发展与前景”的主题报告
中国农业科学院北京畜牧兽医研究所孙研研介绍了LED光谱对蛋鸡生长发育和繁殖性能的影响主题报告。
中国科学院微电子研究所研究员黄森表示,超薄势垒(UTB)AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积(LPCVD)生长的SiNx钝化膜,有效地减少了超薄势垒(UTB) Al0.22Ga0.78N(5nm)/ GaN异质结构中2维电子气体(2DEG)的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出
中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告 张连表示,GaN基异质结双极晶体管(HBT)具有本征优点,例如更高线性度,常关工作模式和更高的电流密度。然而,其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性,以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害,但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告,分享了其最新研究成果。
北京康美特科技股份有限公司总工程师孙宏杰针对公司生产的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究现状和发展趋势”报告,报告指出康美特目前所具备的竞争优势:一是树脂的合成、纯化;二是添加剂的合成以及配方工艺及质量控制方面的优势。
河北工业大学教授徐庶带来则介绍了量子点用于固态照明的量子点硅脂纳米复合材料。
比亚迪汽车工程研究院电动汽车技术开发中心高级经理黄伟:《比亚迪新能源汽车发展战略及技术需求》报告。
中科院电工所研究员温旭辉分享的《半导体功率模块在新能源汽车中应用》主题报告。
日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA:高效率AlGaN深紫外LED的研究进展
2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳
英国IQE plc.集团副总裁兼电力事业部门负责Wayne JOHNSON 带来了先进技术的分享,作为半导体晶圆产品和经营服务供应商,IQE的光
美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士,分享了功率器件之
国际照明委员会主席,美国国家标准与技术研究院首席研究员Yoshi OHNO分享CIE颜色保真指数及新颜色品质指标最新进展。
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极智报告|香港应用科技研究院有限公司高级经理刘学超:碳化硅MOSFET在新能源汽车中的应用报告。更多专业报告,点击页面顶端下载
伍尔特电子及其美国子公司伍尔特电子明康有限公司 (Wurth Electronics Midcom) 参加穆尼黑上海电子展。伍尔特电子作为电子和机电元件的制造商将展示其丰富的传统产品,以及一些新发布的产品。这其中包括新颖的 SMD 磁珠和两款创新型插塞式连接器。展览项目的另一个焦点是日趋丰富的铝电解电容产品组合。此外,伍尔特电子明康有限公司将提供其定制电感元件系列的相关信息,并且提供德州仪器 SN6501 和 SN6505B 的参考设计。作为展示的亮点,虚拟现实演示将为工程师们展现如何通过使用 IC Re
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