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近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

4月16日，美国Polar Semiconductor公司宣布与日本瑞萨电子株式会社（简称瑞萨电子）达成战略协议，获得其硅基氮化镓（GaN-on-Si

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

纳微半导体今日宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市

YS/T 1654-2023《氮化镓化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准解读国标（北京）检验认证有限公司刘红一、

英诺赛科(02577.HK)公告，公司发布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品，该款产品凭藉宽禁带特性，在高压高频场景优势显著，具备零

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

氮化镓（GaN）正在重塑半导体行业游戏规则。近日，九峰山实验室已从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。九峰山实验室8英

近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前

九峰山实验室GaN系列成果首次重磅发布！在颠覆性材料、器件及设计创新、系统级应用创新方面，重磅发布国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）、全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台、动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半导体有限公司（简称新微半导体）正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。该平台凭借高频

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆召开。期间，“分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用“上，浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，带来了“大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展”主题报告。

2月28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”，分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用”，围绕氮化镓、氧化镓功率半导体技术及应用，氮化镓、金刚石功率半导体技术及应用，氮化镓、氧化镓及金刚石功率半导体制造关键技术及装备等热点主题与方向深入分享探讨。

近日，浙江大学集成电路学院柯徐刚研究员团队，提出了一款工业级可量产、应用于大功率AI数据中心的基于第三代半导体氮化镓的高效

2025年2月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项硅衬底