近日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门隆重召开，本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办，惠新（厦门）科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛以“链通全球·芯动未来”为主题，汇聚全球顶级精英，技术与产业并举，全面覆盖半导体照明和第三代半导体及相关领域的前沿热点、技术应用与产业趋势。
苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶受邀参会，并在“化合物半导体射频电子技术”分会上带来了《先进氮化镓制造中心支持射频产业创新发展》的主题报告，分享了技术应用与市场发展状况、先进工艺推动技术前沿、MMIC铸造服务等内容。氮化镓非常适合于制造5G毫米波射频前端集成，比如高效宽带功率放大器、大功率宽带射频开关、高可靠宽带低噪声放大器、高功率限幅器等。国际电联全球移动数据流量预测，总体移动数据流量预计，2020-2030年的年增长率约为55%，到2030年将达到5016 EB。
报告中介绍了能讯的先进的GaN外延技术、高电子迁移率GaN HEMT、无源器件、DG25有源器件、低插入损耗高隔离射频开关、基于PDK的铸造服务支持、三维热分析模型、基于物理的大信号建模等。其DG2503平台LNA器件可以承受25W/mm的输入功率功率冲击，较GaAs优势显著。低压射频GaN工艺已与全球领先的移动智能终端厂商射频团队展开合作，共同推动能讯低压射频氮化镓工艺平台规模化量产。基于近结热调控的低界面热阻异质集成与热管理优化新技术，解决高功率器件的异质集成和结区热点(hotspot)问题。DG1502平台1 mm栅宽开关器件可通过45W功率,FOM值小。
因卓越的产品和服务荣膺由两大论坛联合颁发的“器件设计与制造年度推荐品牌”奖，彰显了公司在器件设计与制造的竞争优势。
关于苏州能讯
苏州能讯高能半导体有限公司创立于2011年，总部位于江苏昆山高新区，是国内领先的射频氮化镓（GaN）芯片制造服务商。公司自主研发构筑了完整的氮化镓功率芯片技术体系，包括：外延生长、工艺开发、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、 0.15μm、0.1μm工艺制程能力。丰富的射频产品线覆盖了电信基础设施、射频能源、消费电子及各类通用市场的应用，为卫星通信、移动终端、气象雷达、宽频带通信等射频领域提供高效高功率半导体解决方案。
