随着人工智能浪潮席卷全球，数据中心对高功率、高密度电源的需求日益迫切。在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。
如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。
“并非灵光一闪，而是一场历时四年的技术攻坚战。”镓奥科技负责人说。四年里，团队从概念验证到工业级落地，完成了多代栅驱系统的迭代升级，围绕双脉冲测试、寄生抑制、栅压控制等关键环节，又历经数十轮验证与调校。正是这些扎实积累，让镓奥科技率先在国内实现5000W–7000W负压直驱GaN功率模块样机的稳定运行，标志着中国GaN器件在千瓦级高可靠性应用场景中迈出关键一步。
什么是“负压直驱”？简单讲，就是在栅极施加负压偏置，让器件全程处于刚性关断控制。公司负责人打了个比方：“传统GaN像匹烈马，功率一高就容易脱缰；负压直驱就是给它套紧缰绳，哪怕全速奔跑也始终听话。”
在第八届莫干山全球高层次人才创新创业大赛中，镓奥科技的“中大功率氮化镓芯片及模组”项目一举夺魁。落地莫干山高新区后，公司迅速拿到数千万元资金并享受配套政策，实现从技术到产品的快速转化。
镓奥科技
专注氮化镓功率器件及其模组研发、生产和销售。团队掌握自主知识产权的“国产替代”中大功率GaN芯片与“国产设计”中大功率模组，技术居行业前列，重点布局人工智能和新能源两大赛道。
随着AI与新能源两大赛道升温，高功率、高可靠性的GaN器件正成为不可或缺的基础设施。镓奥科技的突破不仅填补了国内技术空白，也为中国在第三代半导体全球竞争中再加一道“加速齿轮”。未来，镓奥科技将继续深耕氮化镓技术，加大研发投入，推出创新产品并拓展新场景。