近日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门隆重召开，本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办，以“链通全球·芯动未来”为主题，汇聚全球顶级精英，技术与产业并举，全面覆盖半导体照明和第三代半导体及相关领域的前沿热点、技术应用与产业趋势。
期间，在“氮化镓功率电子器件技术”分论坛上，香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊做了“面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性”的主题报告。氮化镓器件通过在效率、开关频率等方面实现前所未有的改进，正在彻底改变电力电子技术。然而，GaN的材料成分、器件架构和操作物理与硅和碳化硅技术有着根本的不同，这些区别在稳定性、可靠性和鲁棒性方面带来了独特的挑战，这些挑战对于实际部署仍然至关重要。
报告介绍了对这些挑战的最新见解，特别强调动态开关行为及其对功率转换器性能的影响。包括关键器件参数的动态不稳定性，如导通电阻、阈值电压和输出电容，以及器件在雪崩、过电压和短路应力下的鲁棒性。还讨论栅极和漏极开关操作的可靠性和寿命。报告重点介绍了与新兴航空航天和量子系统应用相关的GaN器件在低温下的行为研究。并概述了这些领域的知识差距和当前的研究机会，以指导GaN电力电子的未来发展。
（根据现场资料整理，仅供参考）