随着人工智能数据中心、电动汽车等高能耗领域的能源需求激增，安森美半导体（Onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关领域的功率密度、效率和耐用性树立新标杆。这款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直导电设计，电流可垂直流经化合物半导体，能实现更高工作电压与更快开关频率，既达到节能效果，还能为人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源及航空航天、国防等领域打造更小巧轻便的系统。
作为突破性功率半导体技术，vGaN 由安森美半导体纽约州锡拉丘兹晶圆厂研发制造，公司拥有超 130 项全球专利，覆盖基础工艺、器件设计、制造及系统创新等核心环节。相较于商用 GaN 常用的横向结构，vGaN 直接在 GaN 衬底上生长 GaN，电流可穿透芯片而非仅流过表面，不仅电流密度和工作电压优于横向 GaN 器件，开关频率也超过硅或碳化硅（SiC）产品。
安森美半导体企业战略高级副总裁 Dinesh Ramanathan 表示，vGaN 技术将重塑行业格局，巩固公司在能效与创新领域的领先地位。当下，电动汽车、可再生能源及 AI 数据中心等场景的电力需求增长远超高效发电与输电能力，节能已成为技术进步的关键考量。vGaN 技术的推出，为客户提供了追求卓越性能的核心工具，也让安森美在以能效和功率密度为核心竞争点的未来中占据引领地位。