2月26-28日,“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司将携多款产品亮相此次展会。值此,诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛,莅临A21号展位参观交流、洽谈合作。
2月26-28日,”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。泰克科技(中国)有限公司将携多款产品亮相此次展会。诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛,莅临A23号展位参观交流、洽谈合作。
48所成功实现第三代半导体SiC外延设备的首次大规模批量发货,共计30台套。
南沙构建第三代半导体全产业链集聚生态
以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国
英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者针对数据中心领域,开发了多系列分立和集成氮化镓产品,能够最大限度提升效率,减少能源浪费。
近日,江苏印发《关于支持南京江北新区高质量建设的意见》(以下简称:《意见》),以贯彻落实国家关于促进国家级新区高质量建设
1月10日,杰立方半导体(香港)有限公司(以下简称杰立方)在大湾区(深圳)工商界高峰论坛及交流会2025上,与香港工业总会(FHK
随着三代半厂房二期项目主体结构封顶,中关村顺义园内的三代半特色产业园区发展基石再夯实。记者了解到,该园区初步形成了从装备
今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日,英诺赛科
科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划,推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级,于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设,扩建半导体功率器件框架生产线,主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。
武汉金信新材料有限公司(以下简称“金信新材料”)芯片用第三代半导体8英寸碳化硅晶锭项目完成研发,通过了行业专家验证
“第三代半导体标准与检测研讨会”上,嘉宾们齐聚共同探讨第三代半导体标准与检测相关的最新进展。
在第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛重要产业峰会上,众多专家学者齐聚探讨Mini/Micro-LED技术产业应用最新趋势。
期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上,深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告,结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联,第三代半导体功率器件分析流程,具体介绍了无损分析,电性失效分析 – 缺陷定位,物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。
商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》。
2024年度中国第三代半导体技术十大进展的重磅揭晓,这些进展不仅代表了行业的技术前沿,也预示着产业发展的新方向,受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论。
第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长、北京大学理学部副主任、特聘教授沈波带来了“基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件”的主题报告,分享了蓝宝石衬底上AlN的外延生长及其器件研制、Si衬底上GaN的外延生长及其器件研制的最新研究进展。
11月25日,按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过2项氮化铝晶片
推荐
- 1
IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
9363
- 2
众星云集!化合物半导体激光器技术分论坛最新日程出炉——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
6496
- 3
IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
2891
- 4
27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日成都见!
2547
- 5
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成 未来将形成千亿级产业集群
2523
- 6
第三代半导体六英寸氮化镓项目落户广西桂林
2515
- 7
总投资30亿美元,梧升半导体IDM项目签约
2455
- 8
泉州半导体高新区全力推动园区高质量发展
2436
- 9
第三届紫外LED国际会议将于11月14-16日在山西长治召开
2400
热门
- 1
特朗普:对华关税145%到顶了,要降
11
- 2
星曜半导体完成收购韩国威盛旗下天津封测工厂
11
- 3
总投资约60亿,芯核集群先进封装项目落地萧山经开区
10
- 4
CSPSD 2025前瞻| 中国科学院上海微系统所程新红:宽禁带半导体3D集成技术
10
- 5
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文:高性能SiC功率器件关键技术研究进展
10
- 6
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷:GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
13
- 7
英飞凌推出SiC沟槽型超结(TSJ)技术
13
- 8
AI驱动产业创新,从材料/器件到EDA/设备的多维探索
14
- 9
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟:高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
18