2025年11月14日,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛于厦门闭幕。 在全球半导体产业格局深刻大变革的背景下,论坛以“链通全球 芯动未来”为主题,坚持学术与产业并重,着力链通全球第三代半导体智慧资源,紧跟时代产业发展最新脉动。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博代表组委会介绍了本届论坛筹办情况据组委会初步统计,截至14日上午12时,共有来自国内外1500余名代表注册参会。论坛为期三天,包含一场大会,220余个报告,10个主题技术分论坛、3个热点产业峰会,并设置了Short Course专题培训课程,先进半导体技术应用创新展(CASTAS)、POSTER展示交流,以及与海沧区联动的厦门半导体“四链融合”对接会,“益企跑”、现场参观考察等丰富的联动活动,探索在论坛之外建立更紧密高效的资源链接,大会公布的2025年度中国第三代半导体技术十大进展也受到了业界的广泛关注。




闭幕期间,美国国家工程院院士、香港科技大学特聘教授刘纪美,日本理化研究所RIKEN主任平山秀树,瑞士洛桑联邦理工学院教授Elison Matioli,名古屋大学特聘教授岡徹, 中国电子科技集团首席科学家、中电科第五十八所原所长蔡树军,北京工业大学赵丽霞教授,厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长邱宇峰教授共同为本届论坛优秀海报奖获得者颁发奖励。
当前,国际第三代半导体产业正处于技术快速迭代与市场规模化应用的关键阶段,技术突破与产业化加速,第三代半导体作为新一代半导体材料的典型代表,已成为全球科技竞争的战略焦点。三天时间里,围绕着化合物半导体射频器件、碳化硅材料生长及应用、氮化物材料生长及光电技术、异质异构集成技术及应用、超宽禁带半导体技术、氮化物半导体固态紫外技术及应用、氮化镓功率电子器件技术、碳化硅功率电子器件及其封装技术、车用半导体创新合作及电源应用、光电技术与未来显示、Mini/Micro-led技术应用、光品质与健康显示、光医疗与健康技术 等主题。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表台上台下展开探讨,从不同的角度分享不同见解,观点碰撞,探求技术与产业化难题解决之道。
耿博表示,论坛本着学术与产业并重,已经成为从业者了解国际前沿技术与发展风向的重要窗口,对国际学术和产业间的交流合作起着重要的纽带作用。论坛得到了业界、学界广泛的支持与积极参与,也感谢厦门市海沧区政府,海沧台商投资区管委会,厦门市工信局,工行、农行、建行及兴业银行的本地分行等金融机构,惠新厦门科技创新研究院对本次会议承办工作给与的鼎力支持。
作为经典行业盛会,历经近20年的成长蜕变,论坛已成为国内第三代半导体产业最坚定的支持和推动力量,既是产业发展的见证者,也是技术创新和半导体产业生态建设的推动者,并不断的吸纳建议,持续成长升值,面对更复杂多变的国内外产业发展形势,论坛不改初心,将秉持与时偕行的精神,继续凝聚更多先进力量,守望产业的发展壮大,也真诚邀请业界同仁建言献策,戮力同心,一起开创第三代半导体产业的新局面。
附:优秀海报奖获奖名单
一等奖:
Degradation investigation and suppression of high-power GaN-based blue laser diodes,厦门大学Enming Zhang;
二等奖:
1、Size-dependent performance of white light μLEDs for intelligent vehicle lighting and communication,复旦大学Ren Tianyang;
2、Highly Efficiency Linearly Polarized LED via Surface Plasmon Integrated with Ag Nanocone metasurface,西安交通大学Xuzheng Wang;
三等奖:
1、Influence of the Hole Transport in p-GaN on the Switching and High-Frequency Performance of p-GaN HEMTs,,北京大学zhangshuang;
2、Flexible solar blind UV detector based on hexagonal boron nitride film,西安交通大学 陈有为;
3、Full-Color Active-Matrix Micro-LED Displays Featuring Three-Dimensional Stacked Structure,南京大学 Li Liangjie;
优秀奖:
1、Simulation Study of Current Uniformity in InGaN-based Core-shell Nanowires LEDs by p-type Contact and Indium Content,厦门大学王梦童;
2、Maskless Fabrication of Color Centers in 4H-SiC for Single-Photon Sources in Quantum Photonics ,南京大学 付杰;
3、Dual-Electrode Synergistic hole-array Structured UVA-LED,北京工业大学 许昊;
4、Bottom-side cooled GaN fast and accurate calorimetric measurement of switching loss,西安电子科技大学 姜浩楠;
