11月11-14日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办的第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。
期间，北京北方华创微电子装备有限公司协办的“碳化硅材料生长及应用”分论坛上，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。 日本九洲大学教授西澤伸一，浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长皮孝东，山东大学特聘教授，南砂晶圆董事陈秀芳共同主持了该分论坛。
西澤伸一
日本九洲大学教授
皮孝东
浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长
Won-Jae LEE
韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长
《高品质、低成本大规模生长碳化硅晶体的研究进展》
陈秀芳
山东大学特聘教授，南砂晶圆董事
《8/12英寸碳化硅单晶研究进展》
梁蓬霞
京东方科技集团股份有限公司光学设计研发部部长
《光波导显示技术的机遇与挑战》
李仕群
北京北方华创微电子装备有限公司化合物行业营销总裁
《同芯共赢 以装备创新推动第三代半导体产业蓬勃发展》
于乐
北京智慧能源研究院外延材料研究室负责人
《面向高压应用的碳化硅外延技术研究》
李斌
中电科半导体材料有限公司副总经理、山西烁科晶体有限公司董事长
《全球SiC材料市场现状及未来发展趋势》
王蓉
浙江大学研究员
《300微米级碳化硅超厚外延薄膜的掺杂与缺陷调控》
裴弈成
中国科学院半导体研究所
《温度对固态源SiC薄膜生长的影响》
侯新悦
山东大学
《4H-SiC 单晶中微管的起源、演化与终止：与籽晶背面反应引起的缺陷的相关性》
（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）