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基本半导体（中山）有限公司（以下简称“中山基本”）成功竞得火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，这标志着中山首个碳化硅模块封装产线建设项目正式落户火炬高新区。

第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）举办。本网特派记者参加ISPSD2025，并在现场也遇见了联盟和IFWS&SSLCHINA诸多老朋友，同时也了解了当前最新技术&新方向，以下简单回顾一下热点走向！

近日，备受瞩目的第31届半导体年度奖（Semiconductor　of　the　Year　2025）颁奖典礼在日本东京举行。中国半导体材料领域的领军

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）

近日，中科无线半导体有限公司宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用，是专业为具身机

合盛硅业股份有限公司下属单位 宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。

6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过

中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队与土耳其博卢阿巴特伊兹特贝萨尔大学Yilmaz Ercan教授团队展开联合攻关，成功开发出基于常关型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高性能紫外探测器，显著提升了响应度、紫外-可见截止比、响应速度，为智能传感、环境监测等领域提供了创新解决方案。该系列研究工作发表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev

近日，北京大学魏进/王茂俊/沈波团队，在微电子器件领域权威学术期刊IEEE Electron Device Letters发表名为Split-p-GaN Gate HEMT With Suppressed Negative Vth Shift and Enhanced Robustness Against False Turn-On的学术论文，成功研制无阈值电压负漂的650V/10A增强型GaN器件。

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽车、雷达基站、5G通讯、智能电网等众多前沿领域展现出极为广阔的应用前景，成为推动这些行业

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！

电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-state with Negative Gate Voltage的学术论文。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》的大会报告，

扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目开工。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报告，报告将介绍包括高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density（具有高阈值电压稳定性和低界面态密度的Al2O3/原位GaON栅介质高电子迁移率晶体管研究）为题发表在学术期刊Applied Physics Letter

2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ