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晶盛机电（300316）10月28日发布投资者关系活动记录表，公司于2025年10月27日接受145家机构调研，机构类型为QFII、保险公司、其

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时，美国国家工程院院士、香港科技大学特聘教授刘纪美受邀将出席论坛，并分享《二十五年microLED 发展历程及未来展望 》的主题报告，将敬请关注！

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA 2025将于厦门召开。 届时，瑞典皇家科学院及工程院两院院士Lars SAMUELSON受邀将出席论坛，并分享《用于发射红绿蓝光的亚微米级 InGaN Micro-LED的材料方法》的主题报告，将敬请关注！

深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时，香港科技大学教授张薇葭将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《SiC功率MOSFET有源栅极驱动器综述》的主题报告，敬请关注！

2025年10月21日，元旭半导体科技股份有限公司（以下简称：元旭半导体）在热烈而隆重的氛围中，成功召开MOG（Micro-LED on Glass）技术暨新产品发布会。

2025年10月21日，元旭半导体科技股份有限公司（以下简称：元旭半导体）在热烈而隆重的氛围中，成功召开MOG（Micro-LED on Glass）技术暨新产品发布会。

全球领先的运动控制、节能系统电源及传感解决方案供应商 Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称Allegro，纳斯达克股票代码：ALGM

2025年是电力电子行业的转折点。尽管电动汽车（EV）销量放缓，但IDTechEx预测，到2036年，电动汽车电力电子市场的规模将增长两倍，达到420亿美元。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，复旦大学智能机器人与先进制造创新学院教授田朋飞将受邀出席论坛，并带来《面向空间引力波探测的深紫外micro-LED器件与可靠性研究》的主题报告，敬请关注！

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。

深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 九州大学教授西澤伸一将受邀出席论坛，并带来《绿色社会时代下的SiC材料技术》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，台湾阳明交通大学教授郭浩中将受邀出席论坛，并带来《GaN基UVC和Micro LED技术最新进展》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，韩国东义大学教授WON-JAE LEE将受邀出席论坛，并带来《SiC晶体高质量、低成本体生长研究进展》的主题报告，将敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 名古屋大学特聘教授Tohru Oka将受邀出席论坛，并带来《基于SPICE模拟的垂直GaN MOSFET性能预测和损耗分析》的主题报告，敬请关注！

10月11日，纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）与兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）共同设立的数字能源联合实验室在合肥

本参考设计展示了如何使用碳化硅 (SiC) MOSFET 来优化电动汽车辅助电机、暖通空调 (HVAC) 及其他类似应用中的电机驱动性能。该设

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

中国科学院半导体研究所郑婉华院士团队在《激光与光子学评论》（Laser & Photonics Reviews）发表一项创新成果，成功观测到基于离域化拓扑边界态的自组织激射现象，实现了大规模高相干激光出射