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臻晶半导体携手南昌大学,围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

半导体产业网获悉:近日,常州臻晶半导体有限公司与南昌大学国际材料创新研究院正式签署战略合作协议。臻晶半导体将向研究院提供自主研发的液相法碳化硅长晶炉及全套工艺技术支持,双方将重点围绕 “8英寸厚SiC单晶的低成本制备” 这一产业核心课题展开深度联合攻关。

据了解,臻晶半导体是致力于碳化硅液相法长晶设备及技术研发和产业化的高新技术企业,凭借多年技术沉淀构建了深厚的核心竞争力。公司创始人陆敏博士拥有超30年化合物半导体经验,其中近 10 年深耕液相法长晶技术,是国内该领域最早、最顶尖的专家之一。核心团队平均具备 20 年化合物半导体经验,臻晶构建了坚实的技术壁垒:独家掌握柔性籽晶粘接技术,实现晶体无损伤剥离,大幅降低生产成本;2023年生长出6英寸单晶后,迅速实现厚度突破23mm、关键参数达标,并于2025年成功产出8英寸晶体;其标准化工艺包可稳定制备p型厚度≥5mm无宏观缺陷的碳化硅晶体,产品能力经受住了产业化验证。

南昌大学国际材料创新研究院是依托南昌大学“双一流”学科实力与国家硅基LED工程技术研究中心等国家级平台,在半导体材料领域有着深厚积淀。研究院吴建教授长期深耕半导体材料的理论计算、制备与工程应用,主持多项国家重点研发计划课题,学术成果丰硕。未来,研究院将与臻晶半导体围绕 “8英寸厚SiC单晶的低成本制备” 开展核心技术攻关。

臻晶半导体陆敏博士表示:“我们非常欣赏南昌大学在半导体材料领域的原始创新能力。液相法技术的成熟需要产业链共同努力。我们希望通过此次合作,将臻晶在工程化中积累的经验,与南昌大学的前沿智慧相结合,共同解决产业化道路上的实际挑战。”

南昌大学吴建教授表示:“液相法是大尺寸、高质量碳化硅衬底极具潜力的生长路线。臻晶团队在产业化推进中展现出的速度和执行力令人赞叹。我们期待通过共建研发平台,快速实现从技术探索到产业应用的突破,产出具有市场前景的成果。”

小结:臻晶半导体与南昌大学合作旨在通过液相法技术的突破,与主流PVT法形成技术互补,为我国新能源汽车、智能电网、数据中心和AR智能终端等战略领域提供更优性能与更具成本竞争力的衬底选择,增强产业链的自主可控与安全韧性。同时,本次合作构建了“产业经验+科研智慧”的高效融合范式。臻晶提供经产业化验证的设备与工艺,南昌大学依托其前沿科研能力开展针对性攻关,共同推动技术从实验室走向规模化应用,并为行业培养具备理论与实践能力的高端人才。

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