第三代半导体产业数字化公共服务平台

比利时研究机构imec宣布启用NanoIC试验生产线，旨在根据欧盟《芯片法案》开发超先进半导体，此举标志着欧洲在增强其在全球芯片竞

近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET

我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能？这是我们几十年来一直在追问的问题，同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC)

总投资 50 亿元级的錼创科技 Micro LED 高端显示制造项目取得施工许可证并正式动工，标志着这一全球领先的新型显示产业项目进入实质性建设阶段。

华中科技大学和光谷实验室谭旻研究团队在光通信领域顶级期刊 《Journal of Lightwave Technology》 (JLT) 发表题为“Simultaneous Bias-Polarization Control with Dissimilar Time-Division Multiplexing in Electronic-Photonic Monolithic Integration”的研究论文。

项目概况（一）项目背景随着电动汽车充电系统、5G基站、高铁等技术的出现以及应用，电力电子设备也逐渐向高压大功率方向发展，功

降本增效与技术适配需求核心驱动下，从6英寸主导、8英寸加速渗透到12英寸技术突破，SiC衬底呈现出阶梯式发展路径。随着大尺寸碳

深天马对外正式发布《天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司 Micro-LED 试验线项目》验收报告，该重点技术研发项目完成最终验收环节。

专精特新“小巨人”企业、重点集成电路设计企业芯导科技发布2025年度报告。

成都高新区近日发布《辰显光电 2025 年微型发光二极管（Micro LED）生产基地项目》受理公示，公司拟在新厂区预留区域扩建一条玻璃基 Micro LED 显示屏生产线，新购印章转移、高性能屏体切割等设备 130 余台套，项目总投资 30 亿元，建成后新增年产能 22000㎡，全厂总产能将提升至 40000㎡。

1月22日，总投资10亿元的江苏普诺威端侧功能性IC封装载板项目签约落户昆山千灯镇，这也是该镇今年引进的首个10亿元级重大产业项

德国的ALLOS半导体公司与中国台湾的晶元光电股份有限公司近日宣布达成战略合作，旨在将用于MicroLED应用的200毫米硅基氮化镓（Ga

露笑科技股份有限公司发布消息称，控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司（以下简称“合肥露笑”）在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破

近日，深圳平湖实验室的研究团队在《人工晶体学报》网络首发的研究成果，成功攻克了这一技术难题，为特高压大电流功率器件的发展注入了强劲动力。

西安诺瓦星云科技股份有限公司中研院院长杨城出席大会，并将在“化合物半导体光电应用创新论坛”分享《面向Micro LED显示阵列的均匀性校正技术》主题报告。敬请关注！

北京芯合半导体有限公司销售中心总经理韩光超将出席大会，并在“化合物半导体芯片及封装论坛”上分享《宽禁带时代下 SiC芯片与封装技术演进和市场应用》主题报告。敬请关注！

芯联集成电路制造股份有限公司（688469.SH，下称“芯联集成”）、常州星宇车灯股份有限公司（601799.SH，下称“星宇股份”）与湖北九峰山实验室在武汉签署战略合作协议。

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063202X《SiC MOSFET 功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064202X《应用于S

为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/Si

北京科技大学李成明/刘金龙团队与香港大学陆洋团队合作，在《Nature Communications》期刊上发表重要研究成果，成功制备出直径达5英寸、硬度约208.3GPa的超硬金刚石晶圆。