上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告,分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。
2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介:万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术
11月28日,熙泰科技在四川眉山天府新区举行全球IC研发中心、显示模组扩产及终端产品OEM项目签约仪式。该项目总投资16亿元,将建
由智新半导体有限公司牵头制定,遵循CASAS标准制定流程,经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程,团体标准T/CASAS 041—2025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》于2025年12月1日正式面向产业发布。
11月10日,复旦大学未来信息创新学院余建军教授团队联合上海科技大学陈佰乐研究团队在国际著名期刊Nature Photonics(《自然光子
闻泰科技关于安世半导体控制权争议及全球芯片产业链稳定的官方声明Wingtechs Official Statement on the Dispute over the Contr
按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件(SiC MOSFET)高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议,详细信息如下:
11月27日,三安光电全资子公司湖南三安半导体有限责任公司(以下简称湖南三安)在长沙隆重举行以全芯力量,共赴理想为主题的三安
安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目(一期)开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。
为紧抓化合物半导体产业爆发机遇,进一步发挥珠海产业及应用市场优势,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)将于2025年12月6-7日在珠海高新区香山会议中心组织召开首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”。
12月6-7日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的首届大湾区化合物半导体应用生态大会将在珠海高新区香山会议中心
12月6-7日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的首届大湾区化合物半导体应用生态大会将在珠海高新区香山会议中心
12月6-7日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的首届大湾区化合物半导体应用生态大会将在珠海高新区香山会议中心
近日,IFWS&SSLCHINA 2025)在厦门隆重召开,厦门大族尚立半导体科技有限公司总经理庄昌辉受邀参会,并在“2025海上丝绸之路国际产学研用合作会议光电技术与未来显示分会暨Mini/Micro-led技术应用大会”上带来了《MicroLED封装协同创新平台》的主题报告。
从数据中心互连革命看“低功耗、高并行”光通信新范式
晶盛机电(300316)10月28日发布投资者关系活动记录表,公司于2025年10月27日接受145家机构调研,机构类型为QFII、保险公司、其
11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时,美国国家工程院院士、香港科技大学特聘教授刘纪美受邀将出席论坛,并分享《二十五年microLED 发展历程及未来展望 》的主题报告,将敬请关注!
11月11-14日,IFWS&SSLCHINA 2025将于厦门召开。 届时,瑞典皇家科学院及工程院两院院士Lars SAMUELSON受邀将出席论坛,并分享《用于发射红绿蓝光的亚微米级 InGaN Micro-LED的材料方法》的主题报告,将敬请关注!
深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters(EDL)上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224),论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。
11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时,香港科技大学教授张薇葭将受邀出席论坛,并在Short course培训课程中分享《SiC功率MOSFET有源栅极驱动器综述》的主题报告,敬请关注!
推荐
- 1
IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
10255
- 2
众星云集!化合物半导体激光器技术分论坛最新日程出炉——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
7628
- 3
27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日成都见!
3960
- 4
IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
3796
- 5
年产4000万只光模块,华工科技光电子研创园一期投产
3501
- 6
总投资30亿美元,梧升半导体IDM项目签约
3102
- 7
第三代半导体六英寸氮化镓项目落户广西桂林
3018
- 8
厦门科学技术奖重磅揭晓,12位科研人员获重大贡献奖、创新杰出人才奖
2983
- 9
泉州半导体高新区全力推动园区高质量发展
2852
热门
- 1
深圳平湖实验室在低压(15V-40V)GaN 功率器件领域取得突破性进展,器件综合性能达国际先进水平
26
- 2
HORIBA集团熊洪武:光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用
21
- 3
九峰山实验室发布最新成果,一年可为超大型AI算力中心省3亿度电
20
- 4
AlGaN深紫外发光二极管光子输运行为研究和高效率器件研制
19
- 5
瞻芯电子曹峻:新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究
18
- 6
苏州思体尔贾胜敏:基于模拟的蓝光LED在VLC应用中的带宽分析
22
- 7
武汉思波微智能科技有限公司新工厂开工,入驻武汉芯光产业园
19
- 8
上海新阳年产5万吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目开工
22
- 9
固特杰半导体IGBT项目明年1月正式投产!
20





