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日本制造商罗姆（Rohm）在2025财年第一季度的营业利润大幅下滑。

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）

这款 200 kW 三相逆变器参考设计展示了基于 Wolfspeed 创新型的 2300 V 无基板碳化硅 (SiC) 功率模块的设计简洁性和可扩展性。该

欧洲芯片巨头意法半导体（STMicroelectronics，STMPA.PA）于当地时间周四宣布，将以现金形式收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors，NXPI.O）旗下传感器业务部门

美国加州时间2025年7月22日，SEMI在《年中总半导体设备预测报告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment ForecastOEM Perspe

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激

晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC在马来西亚槟城州隆重举行新制造工厂奠基仪式

近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》和《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》两项标准立项通知。详情如下：

中电化合物与甬江实验室正式签署战略合作框架协议。

6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头

6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学

在近期日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓（GaN）功率器件辐照效应研究论文，向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。