第三代半导体产业数字化公共服务平台

为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/Si

北京科技大学李成明/刘金龙团队与香港大学陆洋团队合作，在《Nature Communications》期刊上发表重要研究成果，成功制备出直径达5英寸、硬度约208.3GPa的超硬金刚石晶圆。

近日，深圳平湖实验室SiC 栅氧表征能力建设攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统

12月25日，入选上海市重大工程项目的“数字光源芯片先进封测基地项目”在临港新片区正式开工建设。该项目由晶合光电全资子公司上海智汇芯晖微电子有限公司投资，首期投资3亿元

晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究成果。

SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。

芯元基半导体正式启动面向光通信应用的Micro LED专项研发。

臻晶半导体携手南昌大学，围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

12月16日，新益昌宣布，与国内玻璃基Micro LED技术企业辰显光电正式签署战略合作框架协议。根据协议，双方将重点围绕玻璃基Micro

玻璃基Micro-LED（COG-基于TFT背板的玻璃基 Micro-LED 技术）领军企业辰显光电与高端半导体装备制造商新益昌正式签订战略合作框架协议。

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组欧欣研究员张师斌研究员团队，基于LiTaO3/SiC异质集成衬底平台，

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC

西安电子科技大学助理研究员杜丰羽带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告，分享了相关研究进展与成果。

厦门三安光电有限公司氮化镓事业部高级副总黄少华受带来了《MicroLED技术在微显示领域的机遇与挑战》的主题报告，分享了RGB MicroLED的挑战、AR微型LED开发、投影用MicroLED显示器等内容。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

近日，美国电子电气工程师学会（Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE）公布了2026年度IEEE会士（Fellow）名

国星光电计划募资9.7亿元投建超高清显示 Mini/Micro LED 及显示模组产品生产建设项目、光电传感及智能健康器件产业化建设项目、智慧家居显示及 Mini 背光模组建设项目、智能车载器件及应用建设项目、国星光电研发实验室项目及补充流动资金。