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英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，将为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化

球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科与联合汽车电子宣布成立联合实验室

6月23日，英诺赛科(02577.HK)公告，公司已于近日与广东威灵电机制造有限公司达成战略合作，成功在家电电机驱动领域实现突破。双

英诺赛科(02577.HK)公告，公司发布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品，该款产品凭藉宽禁带特性，在高压高频场景优势显著，具备零

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军

期待与您携手，共同迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战。让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！

英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。

今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日，英诺赛科

中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。

11月28日，中国证监会国际合作司发布关于英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展。

诺赛科（苏州）半导体有限公司氮化镓项目正在快马加鞭推进，目前主体厂房施工已完成，计划于今年底试产，满产后有望实现年销售收入100亿元。