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可产出千万量级芯片！国内首条氮化镓激光芯片IDM量产线已实现稳定运行！

德国的ALLOS半导体公司与中国台湾的晶元光电股份有限公司近日宣布达成战略合作，旨在将用于MicroLED应用的200毫米硅基氮化镓（Ga

1月19日，大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会在珠海高新区香山会议中心举行。期间，大会设置了“氮化镓产业发展及应用”、“化合物半导体材料”、“化合物半导体功率器件与应用”、“化合物半导体芯片与封装”、“化合物半导体光电应用创新”五大平行主题论坛，打通上下游协同壁垒，精准对接产业需求与技术供给。

1月18日-19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟主办的“大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会”将在珠海高新区香山会议中心召开。论坛重要分会，“氮化镓产业发展及应用论坛”将聚焦氮化镓技术的产业发展与前沿应用交流，挖掘氮化镓技术赋能产业升级路径，为实现功率半导体领域的自主创新与规模商用注入强劲动能。

香港工程科学院院士、美国国家工程院院士、香港科技大学电子及计算机工程学系教授刘纪美将出席大会，并分享《垂直结构氮化镓功率器件:异质与同质衬底上的生长》主题报告。敬请关注！

2026年1月18日-19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟主办的“大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会”将在珠海高新区香山会议中心召开。作为论坛重要分会，“化合物半导体材料论坛”以材料为焦点，将直指产业源头，深度探讨磷化铟、碳化硅、氮化镓、氧化镓等关键半导体材料在“十五五”期间的技术突破与战略布局，为构建自主可控的产业链奠定坚实基础。

2026年1月18-19日“大湾区化合物半导体生态应用大会暨半导体产业CEO大会”将在珠海高新区举办。珠海镓未来科技有限公司创始人&CTO、IEEE Fellow吴毅锋将出席大会，并在“化合物半导体功率器件与应用论坛”上分享《氮化镓功率器件往AI和EV应用的进程》主题报告。

为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月11-13日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，会议内容将涵盖以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料、高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。

近日，英诺赛科（Innoscience）在氮化镓(GaN)功率器件领域取得重要技术突破，关键创新方向上捷报频传。由英诺赛科技术团队主导、

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

氮化镓（GaN）材料具备禁带宽度大、临界击穿电场高、易于形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半

苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

厦门三安光电有限公司氮化镓事业部高级副总黄少华受带来了《MicroLED技术在微显示领域的机遇与挑战》的主题报告，分享了RGB MicroLED的挑战、AR微型LED开发、投影用MicroLED显示器等内容。

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高

九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。

香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊做了“面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性”的主题报告。

当前，南京大学已开展面向航天应用的GaN功率器件设计与流片。逐渐建立GaN功率器件设计与流片能力，开展多轮4/6英寸流片工作，研制抗辐照GaN功率器件。团队在国家大科学装置开展了大量的辐照实验。

「致能半导体」携手国际知名8英寸Fab完成8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。