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依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。

近日，一项关于范德华外延高质量超薄氮化物半导体材料的研究成果发表于《Advanced Materials》，该研究由武汉大学何军教授团队与西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、宁静教授合作完成，武汉大学文耀副研究员与西安电子科技大学宁静教授与为论文共同第一作者，何军教授、张进成教授为论文共同通讯作者。

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基半导体激光器元件的专利，公开号CN120262170A，申请日

根据纳微半导体 Navitas 提供的文件，台积电计划于 2027 年 7 月终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产。而日本半导体制造商 ROHM 罗姆也

近日，由华东理工大学牵头的国家重点研发计划 大尺寸氮化镓单晶制备用高温超高压反应釜设计制造技术项目启动暨实施方案论证会在

随着GaN半导体需求的持续增长，英飞凌正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位

近日，有消息称台积电计划淡出氮化镓市场，晶圆五厂将于2027年7月1日后转型为先进封装使用。氮化镓厂纳微半导体也宣布旗下650V元

6月25日，雷电微力在深交所互动易平台回复投资者提问时表示，公司研制低成本低剖面氮化镓组件，部分产品已量产。第三代半导体氮

DX65TA030是一款650V,30mΩ增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管，采用TOLL封装与宽禁带技术，实现高功率密度。具备开尔文连接，

6月23日，英诺赛科(02577.HK)公告，公司已于近日与广东威灵电机制造有限公司达成战略合作，成功在家电电机驱动领域实现突破。双

在近期日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓（GaN）功率器件辐照效应研究论文，向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。

近日，中科无线半导体有限公司宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用，是专业为具身机

中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队与土耳其博卢阿巴特伊兹特贝萨尔大学Yilmaz Ercan教授团队展开联合攻关，成功开发出基于常关型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高性能紫外探测器，显著提升了响应度、紫外-可见截止比、响应速度，为智能传感、环境监测等领域提供了创新解决方案。该系列研究工作发表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev

5月23日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大启幕。新微半导体总经理王庆宇应邀出席，发表了题为“氮化镓赋能未来：突破功率极限，引领能效革命”的主旨演讲，深度解读氮化镓在能效领域的卓越优势

近日，澳大利亚激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模

5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式。华润微电子副总裁庄恒前强

近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

4月16日，美国Polar Semiconductor公司宣布与日本瑞萨电子株式会社（简称瑞萨电子）达成战略协议，获得其硅基氮化镓（GaN-on-Si

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

纳微半导体今日宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证，这标志着氮化镓技术在电动汽车市