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9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效

随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损

8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，将为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化

球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科与联合汽车电子宣布成立联合实验室

汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。

苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32 × 25。本项研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

氮化镓（GaN）基电子器件具有高频、高效、耐高温及抗辐射等特性，是下一代高效电力电子与射频电子系统的核心支撑器件，已在5G/6G

依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。

近日，一项关于范德华外延高质量超薄氮化物半导体材料的研究成果发表于《Advanced Materials》，该研究由武汉大学何军教授团队与西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、宁静教授合作完成，武汉大学文耀副研究员与西安电子科技大学宁静教授与为论文共同第一作者，何军教授、张进成教授为论文共同通讯作者。

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基半导体激光器元件的专利，公开号CN120262170A，申请日

根据纳微半导体 Navitas 提供的文件，台积电计划于 2027 年 7 月终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产。而日本半导体制造商 ROHM 罗姆也

近日，由华东理工大学牵头的国家重点研发计划 大尺寸氮化镓单晶制备用高温超高压反应釜设计制造技术项目启动暨实施方案论证会在

随着GaN半导体需求的持续增长，英飞凌正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位

近日，有消息称台积电计划淡出氮化镓市场，晶圆五厂将于2027年7月1日后转型为先进封装使用。氮化镓厂纳微半导体也宣布旗下650V元

6月25日，雷电微力在深交所互动易平台回复投资者提问时表示，公司研制低成本低剖面氮化镓组件，部分产品已量产。第三代半导体氮