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5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京智慧能源研究院功率半导体研究所测试研究室主任陈中圆将受邀出席论坛，并带来《基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域

天眼查显示，泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布，申请公布日为2025年3月7

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ

纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET技术，经过严格

近日，致瞻科技与欧洲行业头部企业正式签署长期保障供货协议，凭借高可靠性碳化硅功率模块技术和液冷超充系统集成能力，成为该客

近期，全国建设项目环境信息公示平台发布了河北同光科技发展有限公司年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工环境保护验收公示。该项目

天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

4月10日，意法半导体官网宣布 重塑制造布局和调整全球成本基础 计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

4月8日，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司正式向港交所递交上市申请，中金公司为其保荐机构，港股有望迎来一家全球碳化硅外

2025年开局，中国新能源汽车市场延续了此前的强劲势头。1-2月产销分别完成190.3万辆和183.5万辆，同比增速达52%，渗透率攀升至41

4月7日，据大众新闻报道，天岳先进位于济南市槐荫区的碳化硅项目即将迎来投产。据了解，该项目为年产500吨碳化硅单晶基地扩产能

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯

4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流

近日，深圳市金威源科技股份有限公司与杰平方半导体（上海）有限公司正式签订碳化硅战略合作协议，双方企业负责人及相关人员出席

天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中，12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点，不仅展示了天岳先进的技术实力，也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。

碳化硅作为一种高性能材料，因其独特的物理和化学性质，在半导体行业中，特别是作为涂层材料时，展现出了显著的优势。一代材料，