第三代半导体产业数字化公共服务平台

2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ

纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET技术，经过严格

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由杭州飞

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海交

4月10日，意法半导体官网宣布 重塑制造布局和调整全球成本基础 计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

4月7日，据大众新闻报道，天岳先进位于济南市槐荫区的碳化硅项目即将迎来投产。据了解，该项目为年产500吨碳化硅单晶基地扩产能

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探

4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流

由智新半导体有限公司牵头起草的标准T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC 功率模块老化筛选试验方法》已完成征求意见稿的编制，

半导体产业网讯：在半导体材料领域，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其卓越的性能而备受关注。然而，高品质低成本

博世汽车电子中国区（ME - CN）在苏州五厂正式建成碳化硅（SiC）功率模块生产基地，这一里程碑式进展标志着博世在碳化硅功率模块生产领域迈入全新阶段。

3月11日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供

国家知识产权局信息显示，苏州创芯致尚微电子有限公司取得一项名为一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置的专利，授权公告号CN 22255

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”期间，浙江大学特聘研究员、博士生导师任娜带来”基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管“的主题报告。

近日，2025功率半导体制造及供应链高峰论坛在重庆召开，天通银厦新材料有限公司副总经理兼CTO康森，带来了“大尺寸蓝宝石晶圆技术进展及其半导体领域的应用趋势”的主题报告

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”上，泰克科技大中华区技术总监张欣出席论坛，并带来”从参数测试到可靠性验证 新型功率器件的特性表征“的主题报告。