紫外探测器在导弹制导与预警、空间通信，火灾预警、引擎监测、生物医疗检测等军、民和商业领域有着广泛的应用。SiC禁带宽度大、热导率高、器件响应速度快、漏电流低，且工艺成熟已大量应用于高温工作领域。尽管SiC基紫外探测器在高温工作方面展现出了绝对的优势。但从研究现状来看，响应度低下是亟待解决的难题。 

近日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门召开。 

期间，西安电子科技大学助理研究员杜丰羽受邀参会，并在“异质异构集成技术及应用峰会”上带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告，分享了相关研究进展与成果。

Si和GaAs材料的禁带宽度窄，吸收截止波长大，用于紫外探测器需要额外的滤光设备。GaN材料的各类缺陷会带来PPC效应，影响器件的响应速度。Ga₂O₃和ZnO材料的 P型掺杂困难，无法制备双极性器件。金刚石材料生长工艺进展缓慢，探测器响应度低下。报告分享了一种利用由β-Ga₂O₃和4H-SiC组成的新型n-n异质结结构的高温紫外（UV）光电探测器阵列的成功开发和综合评估。 

SiC基高温紫外探测器研究聚焦于提升工作温度与响应度，工作温度从200℃提升至450℃，响应度从0.03 A/W增至0.11 A/W，但高温稳定性与器件性能的平衡仍是关键挑战。尽管高温性能优异，但响应度低仍是关键瓶颈，需通过结构优化（如异质结、纳米结构）与工艺改进（如电极材料、台面刻蚀）进一步提升光吸收与载流子分离效率。 

通过系统表征可优化异质结界面性能，为宽带隙半导体器件（如紫外探测器、功率电子器件）的开发提供实验依据。通过优化异质结界面与器件结构，提升探测器的响应度、响应速度及稳定性，推动其在紫外成像、环境监测、安全防护等领域的实际应用。 

（根据现场资料整理，仅供参考）