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三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

日前，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。这也意味着，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整

8月19日，新洁能发布公告称，公司在募投项目实施主体、实施方式、募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下，公司根据目前

8月11日，天岳先进发布公告称，公司拟全球发售H股4774.57万股股份，其中香港发售股份238.73万股，国际发售股份4535.84万股，另有

日本制造商罗姆（Rohm）在2025财年第一季度的营业利润大幅下滑。

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）

这款 200 kW 三相逆变器参考设计展示了基于 Wolfspeed 创新型的 2300 V 无基板碳化硅 (SiC) 功率模块的设计简洁性和可扩展性。该

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激

晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC在马来西亚槟城州隆重举行新制造工厂奠基仪式

近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》和《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》两项标准立项通知。详情如下：

中电化合物与甬江实验室正式签署战略合作框架协议。