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江苏超芯星半导体有限公司(Hypersics Co.,Ltd)成立于2019年4月,专注于第三代半导体碳化硅(SiC)衬底全产业链研发与生产,覆

车规级碳化硅(SiC)技术是新能源汽车高压平台的核心,能显著提升续航、加速和充电速度,在主驱逆变器、车载充电(OBC)与DC-DC

西安电子科技大学助理研究员杜丰羽带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告,分享了相关研究进展与成果。

江苏超芯星半导体有限公司(Hypersics Co.,Ltd)成立于2019年4月,专注于第三代半导体碳化硅(SiC)衬底全产业链研发与生产,覆

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告,分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介:万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术

由智新半导体有限公司牵头制定,遵循CASAS标准制定流程,经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程,团体标准T/CASAS 041—2025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》于2025年12月1日正式面向产业发布。

按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件(SiC MOSFET)高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议,详细信息如下:

11月27日,三安光电全资子公司湖南三安半导体有限责任公司(以下简称湖南三安)在长沙隆重举行以全芯力量,共赴理想为主题的三安

安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目(一期)开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇,进一步发挥珠海产业及应用市场优势,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)将于2025年12月6-7日在珠海高新区香山会议中心组织召开首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”。

晶盛机电(300316)10月28日发布投资者关系活动记录表,公司于2025年10月27日接受145家机构调研,机构类型为QFII、保险公司、其

深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters(EDL)上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224),论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。

11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时,香港科技大学教授张薇葭将受邀出席论坛,并在Short course培训课程中分享《SiC功率MOSFET有源栅极驱动器综述》的主题报告,敬请关注!

2025年是电力电子行业的转折点。尽管电动汽车(EV)销量放缓,但IDTechEx预测,到2036年,电动汽车电力电子市场的规模将增长两倍,达到420亿美元。

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法》团体标准,被评为2025年度高质量团体标准。

11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十二届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于厦门召开。 九州大学教授西澤伸一将受邀出席论坛,并带来《绿色社会时代下的SiC材料技术》的主题报告,敬请关注!

11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十二届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于厦门召开。 届时,韩国东义大学教授WON-JAE LEE将受邀出席论坛,并带来《SiC晶体高质量、低成本体生长研究进展》的主题报告,将敬请关注!

本参考设计展示了如何使用碳化硅 (SiC) MOSFET 来优化电动汽车辅助电机、暖通空调 (HVAC) 及其他类似应用中的电机驱动性能。该设

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯(SiC/Parylene)衬底的异质集成柔性氮化镓(GaN)射频功率放大器。

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