第三代半导体产业数字化公共服务平台

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激

晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC在马来西亚槟城州隆重举行新制造工厂奠基仪式

近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》和《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》两项标准立项通知。详情如下：

中电化合物与甬江实验室正式签署战略合作框架协议。

6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头

6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学

在近期日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓（GaN）功率器件辐照效应研究论文，向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。

基本半导体（中山）有限公司（以下简称“中山基本”）成功竞得火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，这标志着中山首个碳化硅模块封装产线建设项目正式落户火炬高新区。

第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）举办。本网特派记者参加ISPSD2025，并在现场也遇见了联盟和IFWS&SSLCHINA诸多老朋友，同时也了解了当前最新技术&新方向，以下简单回顾一下热点走向！

近日，备受瞩目的第31届半导体年度奖（Semiconductor　of　the　Year　2025）颁奖典礼在日本东京举行。中国半导体材料领域的领军

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）

近日，中科无线半导体有限公司宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用，是专业为具身机

合盛硅业股份有限公司下属单位 宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。

6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过

中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队与土耳其博卢阿巴特伊兹特贝萨尔大学Yilmaz Ercan教授团队展开联合攻关，成功开发出基于常关型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高性能紫外探测器，显著提升了响应度、紫外-可见截止比、响应速度，为智能传感、环境监测等领域提供了创新解决方案。该系列研究工作发表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev

近日，北京大学魏进/王茂俊/沈波团队，在微电子器件领域权威学术期刊IEEE Electron Device Letters发表名为Split-p-GaN Gate HEMT With Suppressed Negative Vth Shift and Enhanced Robustness Against False Turn-On的学术论文，成功研制无阈值电压负漂的650V/10A增强型GaN器件。