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德国的ALLOS半导体公司与中国台湾的晶元光电股份有限公司近日宣布达成战略合作，旨在将用于MicroLED应用的200毫米硅基氮化镓（Ga

露笑科技股份有限公司发布消息称，控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司（以下简称“合肥露笑”）在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破

近日，深圳平湖实验室的研究团队在《人工晶体学报》网络首发的研究成果，成功攻克了这一技术难题，为特高压大电流功率器件的发展注入了强劲动力。

西安诺瓦星云科技股份有限公司中研院院长杨城出席大会，并将在“化合物半导体光电应用创新论坛”分享《面向Micro LED显示阵列的均匀性校正技术》主题报告。敬请关注！

北京芯合半导体有限公司销售中心总经理韩光超将出席大会，并在“化合物半导体芯片及封装论坛”上分享《宽禁带时代下 SiC芯片与封装技术演进和市场应用》主题报告。敬请关注！

芯联集成电路制造股份有限公司（688469.SH，下称“芯联集成”）、常州星宇车灯股份有限公司（601799.SH，下称“星宇股份”）与湖北九峰山实验室在武汉签署战略合作协议。

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063202X《SiC MOSFET 功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064202X《应用于S

为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/Si

北京科技大学李成明/刘金龙团队与香港大学陆洋团队合作，在《Nature Communications》期刊上发表重要研究成果，成功制备出直径达5英寸、硬度约208.3GPa的超硬金刚石晶圆。

近日，深圳平湖实验室SiC 栅氧表征能力建设攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统

12月25日，入选上海市重大工程项目的“数字光源芯片先进封测基地项目”在临港新片区正式开工建设。该项目由晶合光电全资子公司上海智汇芯晖微电子有限公司投资，首期投资3亿元

晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究成果。

SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。

芯元基半导体正式启动面向光通信应用的Micro LED专项研发。

臻晶半导体携手南昌大学，围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

12月16日，新益昌宣布，与国内玻璃基Micro LED技术企业辰显光电正式签署战略合作框架协议。根据协议，双方将重点围绕玻璃基Micro

玻璃基Micro-LED（COG-基于TFT背板的玻璃基 Micro-LED 技术）领军企业辰显光电与高端半导体装备制造商新益昌正式签订战略合作框架协议。

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组欧欣研究员张师斌研究员团队，基于LiTaO3/SiC异质集成衬底平台，