第三代半导体产业数字化公共服务平台

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工建设

近年来，全球半导体产业迎来爆发式增长，中国半导体市场更是呈现资金加速涌入、产能快速扩张、企业积极出海的发展态势，半导体设

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

中宜创芯宣布成功将碳化硅粉体纯度突破8N，粉体纯度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行业纪录。

7月7日，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。进一步优化完善我国充电设施网络布局

济南市生态环境局发布了山东天岳先进科技股份有限公司碳化硅材料产业项目（一期）的获批公示。

中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。

据香港特别行政区政府新闻公报网站，香港创新科技署（创科署）6 月 25 日宣布，创新及科技基金下设的新型工业评审委员会支持杰立

浙江晶瑞电子材料有限公司年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目

据株洲新区发布消息，6月22日上午，诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式在株洲高新区举行。该项目总投资约1.5亿元，

深圳基本半导体股份有限公司在粤港澳大湾区的产能布局再获突破。6月4日，广东省投资项目在线审批监管平台公示显示，其全资子公司

诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式举行。

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）发布《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》和《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》两项标准立项通知。详情如下：

在近期落幕的第 37 届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大学电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）取得了令人瞩目的成绩。团队共有四篇论文被选为大会全体报告（Oral Session）。该核心报告数量在全球所有高校、研究机构和企业中位居第一，充分彰显了浙大 PEDL 团队在宽禁带功率半导体领域的卓越科研实力。

基本半导体（中山）有限公司（以下简称“中山基本”）成功竞得火炬高新区民众街道深中合作区22亩地块，这标志着中山首个碳化硅模块封装产线建设项目正式落户火炬高新区。

来自济南的半导体企业——山东天岳先进科技股份有限公司，凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎

市场对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求日益增长，这推动了功率半导体行业的发展，也要求人们更加关注先进材料。在各种先进

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）

合盛硅业股份有限公司下属单位 宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。