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北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

方正微电子副总裁/产品总经理彭建华发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品

格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

近日，特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，连城数控半导体装备事业部/连科半导体有限公司总经理胡动力受邀将出席会议，并带来《8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向》的主题报告，敬请关注！

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革

日前，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。这也意味着，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整

12英寸碳化硅上下游生态仍处于前期验证阶段，尚不具备大规模产业化条件，公司将视产业链成熟度及客户需求稳步推进

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

据徐州日报报道，近日，徐州高新区再传捷报江苏集芯先进材料有限公司（以下简称江苏集芯）成功出炉首枚8英寸液相法（LPE）高质量

中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

这款 200 kW 三相逆变器参考设计展示了基于 Wolfspeed 创新型的 2300 V 无基板碳化硅 (SiC) 功率模块的设计简洁性和可扩展性。该

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工建设