第三代半导体产业数字化公共服务平台

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，广州市鸿利显示电子有限公司（鸿利智汇全资子公司）总经理刘传标做了“创新MLED技术，赋能直显和背光车载市场 ”的主题报告，分享了显示领域的发展现状，以及鸿利显示Mini LED特点及优势等内容。

位于江苏盐城综合保税区二期七号厂房的罗化芯显示项目，其3条Mini/Micro LED模组线已正式运营，预计达产后可实现年销售2亿元。

期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上，深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告，结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联，第三代半导体功率器件分析流程，具体介绍了无损分析，电性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，元旭半导体科技股份有限公司董事会主席兼CEO席光义做了“从芯到屏 智显未来——开启Micro-LED智慧显示时代”的主题报告，分享了Micro-LED显示技术的机遇、挑战与创新方向。

论坛期间的“第四届车用半导体创新合作峰会”上，安世半导体中国区SiC战略及业务负责人王骏跃，株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家、功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友，杭州士兰微电子股份有限公司功率系统应用技术高级经理朱晓慧，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳，英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师张浩，长城汽车投资总监耿伟等专家们齐聚分享精彩报告，共同探讨新的发展趋势下，车用半导体创新合作发展。

2024年11月19日，在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正

天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

端到端垂直整合，提升市场竞争力安森美在SiC领域有着深厚的历史积淀，是目前为数不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供应商，包

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”与“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术”分会日程出炉，敬请关注！

国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为一种沟槽型SiC器件及其制备方法的专利，公开号CN 118888594 A，申

东南大学章琦，吕俊鹏以及倪振华等人携手在“Nature Electronics”期刊上发表了题为“Light-emitting diodes based on intercalated transition metal dichalcogenides with suppressed efficiency roll-off at high generation rates”的最新论文。

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

富特科技（301607）10月22日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年10月22日接受2家机构调研，机构类型为其他。 投资者关系活动

烁科晶体SiC二期项目已顺利通过竣工验收，标志着该项目正式投产。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。元旭半导体将携多款Micro-LED芯片、COB显示产品亮相此次展会，诚邀请产业同仁共聚论坛，莅临A04号展位参观交流、洽谈合作。

11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。瑞典皇家科学院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大学教授Lars Samuelson将出席论坛，并将带来“实现超小型全氮化物Micro-LED的纳米级材料科学技术”的大会报告。

据方正微电子官微消息，10月16日，深圳方正微电子有限公司副总裁/产品总经理彭建华在发言中提到，方正微电子作为第三代半导体领

PowerAmerica执行董事兼首席技术官Victor Veliadis将出席论坛并做大会报告，分享“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”，并将在专题技术分会上，继续分享“在硅晶圆厂中制造SiC”的研究成果。

康奈尔大学Huili Grace Xing和Debdeep Jena团队在Nature期刊上发表了题为“Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices”的最新论文。研究人员提出了一种新型的双电子集成方案，该方案利用GaN基材的N极面和金属极面分别制作HEMT和LED。这一方法避免了需要选择性去除或再生长外延层的复杂过程，从而降低了对材料界面质量的要求，显著提高了器件的性能。