第三代半导体产业数字化公共服务平台

融科科技半导体关键设备研发及智能制造总部项目位于吴中太湖新城横泾街道尧新路以东、东太湖路以北，总投资10亿元，用地约30.27亩，预计达产后可实现年产值15亿元。

美国国会众议院近期提交《芯片设备质量、实用性和完整性保护法案》（Chip EQUIP Act），由参众两院两党联合推动。该法案并非新增技术限制，而是通过修订《芯片与科学法案》（CHIPS Act）的资金规则，为获联邦补贴的半导体项目划定设备采购边界，凸显美国对半导体产业链“资金安全”与“供应链自主”的双重关切。

上海芯上微装科技股份有限公司（AMIES）再传捷报：公司自主研发的首台350nm步进光刻机（AST6200 ）正式完成出厂调试与验收，启程发往客户现场，标志着我国在高端半导体光刻设备领域再次实现关键突破！

安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目（一期）开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。

美议员拟提案：获《芯片法案》补贴厂商10年内禁止购买中国芯片设备！

10月28日，在内江高新区高铁片区，长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目开工。二期项目投产后，将显著提升内江在半

据内江高新官微消息，10月28日，长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目正式开工建设。据悉，长川科技于2021年9月落

新站高新区和鋐棋(合肥)科技有限公司半导体关键设备灯罩组件及耗材项目正式签约，填补了国内半导体核心高精密耗材空白。

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

珠海智桦半导体科技有限公司在珠海国家级高新区大湾区智造产业园举行投产仪式，标志着其专注于半导体核心零部件的发展步入规模化量产新阶段。

南通见真高端装备零部件制造项目、西湖仪器产品演示中心、内蒙古半导体科学园区项目、奈沛米半导体封测项目、平伟实业光电探测芯片及模组产业化项目、通合科技高功率充电模块产业化建设项目（一期）、年产百台套光刻机及先进封装核心设备生产基地项目、康盈半导体存储芯片项目以及重庆芯联12英寸项目（一期）迎来最新进展！

在半导体产业自主化浪潮下，光刻设备领域传来重要进展。总部位于香港的ABM公司近日与佛山市签署合作协议，将在顺德区北滘镇建设年产百台套光刻机及先进封装核心设备生产基地。这一项目不仅是广东省首个实现量产的光刻机项目，也是粤港澳大湾区半导体装备产业的重要布局。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。北京特思迪半导体设备有限公司将携最新产品方案亮相本次学术盛会（展位号：S07）。

9月19日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司，股票代码：688012）今日于广州市增城经济技术开发区隆重举办

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，北方华创微电子化合物外延部门负责人杨牧龙将出席会议，并带来《化合物半导体外延设备及工艺解决方案》的主题报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

惠然微电子作为半导体量检测设备领域的领航者，携诸多核心技术成果亮相第十三届半导体设备与核心部件及材料展.

罗博特科发布公告称，公司全资子公司ficonTEC与瑞士某头部公司C的子公司签署合同，合同金额约为946.50万欧元