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杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家，中山大学教授王钢在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》的主题报告，分析了大尺寸硅基氧化镓外延、硅基氧化镓器件及应用等内容。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

苏州宝士曼半导体设备有限公司总经理田天成带来了《有压纳米银烧结工艺量产应用实践与检讨》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，包括有压微纳米银烧结工艺、烧结工艺中相关影响因素分析、量产工艺实践与检讨等内容。

HORIBA集团半导体事业部半导体量测产品经理熊洪武带来了《光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，涉及化合物半导体及外延工艺、光致发光应用（PL光谱成像、PL强度成像）等内容。

广东工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。

武汉思波微智能科技有限公司新工厂开工装修仪式圆满举行，正式作为首批半导体设备研发制造企业入驻武汉芯光产业园。

固特杰IGBT散热器件项目共计划建设两条产线，目前在手订单2亿元，生产周期已排至明年3月。IGBT散热器件项目自今年2月起设备陆续进场，目前产线安装进度已完成50%，正处于调试阶段。项目计划明年1月正式投产，预计2026年年销售额可达3亿元。

在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：全系列12英寸碳化硅衬底全球首发

在全球芯片供应紧张的大背景下，中国存储芯片企业正在积极作为，为保障全球供应链稳定发挥越来越重要的作用。国产DRAM龙头企业，长鑫科技近期在技术创新和产品研发方面取得了一系列突破性进展。

西安奕材（688783.SH）发布公告称，公司与武汉光谷半导体产业投资有限公司（简称光谷半导体产投）签署《奕斯伟武汉硅材料基地项目投资合作协议》，投资建设武汉硅材料基地项目。

原定于2025年12月6日至7日在珠海高新区香山会议中心举办的“2025大湾区化合物半导体应用生态大会”，因会议时间出现冲突，经过主办方慎重考虑，决定调整至2026年1月下旬召开，举办地点及其他核心安排不变。

「致能半导体」携手国际知名8英寸Fab完成8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。

融科科技半导体关键设备研发及智能制造总部项目位于吴中太湖新城横泾街道尧新路以东、东太湖路以北，总投资10亿元，用地约30.27亩，预计达产后可实现年产值15亿元。

由智新半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 041—2025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》于2025年12月1日正式面向产业发布。