国家第三代半导体技术创新中心(南京)牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选
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GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等,由于难以实现纳米尺寸、空间密度、形貌、结构等的有效控制,限制了纳米材料和器件的发展和应用。报告介绍一种新型GaN微纳结构的制备方法、光电特性及其紫外探测器件。
SEMI(国际半导体产业协会)在其最新的《世界晶圆厂预测》报告中表示,全球半导体产业月产能将在2023年增长5.5%,达到2960万片
江西南昌大力推动硅衬底发光二极管蓝光技术开发应用。
中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商,一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。
理想晶延业界首创的光伏切片电池侧壁钝化 (Edge Passivation Deposition EPD)设备正式整装出货!
Luminus Devices宣布,湖南三安半导体与其签署了一项合作协议,Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道,面向功率半导体应用市场。
2011年,国内碳化硅产业的幼苗经历十余年发展完成了晶圆尺寸从2英寸往4英寸迭代,国内导电型碳化硅产品和技术布局刚开始,产业基
中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。
目前,江宁开发区第三代半导体产业“第一梯队”,由国博电子、国盛电子等“中电科系”龙头企业“领衔”,去年这些龙头企业相继迎来重大发展节点。
1月3日,证监会官网披露了深圳市龙图光罩股份有限公司(以下简称龙图光罩或公司)首次公开发行股票注册的批复,公司IPO注册获同意
中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。
据财联社消息,工信部部长金壮龙1月9日表示,将积极培育新兴产业和未来产业,包括人工智能、人形机器人、元宇宙、6G、量子信息、
香港中文大学(深圳)冀东介绍了GaN同质外延中的雪崩特性的最新研究进展,涉及GaN同质外延中雪崩击穿的表征、GaN同质外延中碰撞电离系数测量,以及功率器件和雪崩光电二极管的应用等。
中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目是2023年山西省重点工程项目,是山西烁科晶体有限公司瞄准“成为国内卓越、世界一流的碳化硅材料供应商”这一目标打造的一张关键“拼图”。
近日,北京市人力资源和社会保障局发布《北京市集成电路专业职称评价试行办法》,新增设集成电路专业职称,畅通集成电路专业技术
北京集成电路学院微纳电子器件与集成技术全国重点实验室发布招聘信息,招聘工艺工程师。具体招聘信息如下:(来源:北京高校人才
全球半导体每月晶圆(WPM)产能在2023年增长5.5%至2960万片后,预计2024年将增长6.4%,首次突破每月3000万片大关(以200mm当量计算)。
二维(2D)和三维(3D)双模视觉信息在自动驾驶、工业机器人、人机交互等前沿领域具有广泛的应用前景。但是2D和3D两种模式视觉信
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