第三代半导体产业数字化公共服务平台

5月28日，位于湖北光谷科学岛的长飞先进武汉基地投产，其首片6英寸碳化硅晶圆下线。

据报道，日前 ，新加坡科技研究局（下简称A-STAR）推出全球首个工业级200毫米碳化硅开放研发生产线。A-STAR是新加坡政府下属的主

深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）递交上市申请

浙江瀚薪芯昊半导体有限公司在浙江丽水投资建设的“新建碳化硅封测建设项目”主体结构今日（5月27日）正式封顶。

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽车、雷达基站、5G通讯、智能电网等众多前沿领域展现出极为广阔的应用前景，成为推动这些行业

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京智慧能源研究院功率半导体研究所测试研究室主任陈中圆将受邀出席论坛，并带来《基于正向压降表征的碳化硅MOSFET结温测量方法研究》的大会报告，分享最新研究成果，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域

天眼查显示，泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布，申请公布日为2025年3月7

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ

纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET技术，经过严格

近日，致瞻科技与欧洲行业头部企业正式签署长期保障供货协议，凭借高可靠性碳化硅功率模块技术和液冷超充系统集成能力，成为该客

近期，全国建设项目环境信息公示平台发布了河北同光科技发展有限公司年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工环境保护验收公示。该项目

天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

4月10日，意法半导体官网宣布 重塑制造布局和调整全球成本基础 计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

4月8日，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司正式向港交所递交上市申请，中金公司为其保荐机构，港股有望迎来一家全球碳化硅外