第三代半导体产业数字化公共服务平台

据海沧区融媒体中心消息，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目正式全面封

2月27日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。28日精彩继续，“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”，围绕8英寸晶体、外延及器件技术 大规模生产制造、关键耗材及制造工艺优化，关键材料及工艺装备、器件及可靠性设计，SiC 器件设计及产品创新应用等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。

半导体产业网讯：2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。山东大学新一代半导体材料研究院 副研究员钟宇受邀将出席论坛，并带来《高功率碳化硅肖特基二极管技术及产业化》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。国家新能源汽车技术创新中心总师、先进电驱动业务单元负责人刘朝辉受邀将出席论坛，并带来《碳化硅芯片先进封装和热管理关键技术》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。浙江大学特聘研究员博士生导师任娜受邀将出席论坛，并带来《基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管及其光电特性》的主题报告，敬请关注！

近日，烁科晶体公司宣布其二期碳化硅产线已经全面投产，标志着公司在碳化硅材料领域的领先地位进一步巩固。二期项目的投产将为烁

英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术.

环球晶董事长徐秀兰表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的价格已经稳定，但市场反弹仍不确定。

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。南方科技大学研究员叶怀宇受邀将出席论坛，并带来《碳化硅器件封装和失效分析》的主题报告，敬请关注！

自研的碳化硅功率芯片完成装机；自研自产的碳化硅功率模块在理想汽车苏州半导体生产基地下线；自研自产新一代电驱动总成在常州电

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。湖南三安半导体有限责任公司总经理助理高玉强博士将出席论坛，并带来《高质量8英寸碳化硅单晶材料技术发展与挑战》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。重庆大学教授曾正受邀将出席论坛，并分享《车用碳化硅功率器件：机遇与挑战》的主题报告，将详细阐述车用碳化硅功率器件的行业需求、应用现状、技术挑战和发展趋势，为下一代车用碳化硅功率器件的研发与应用提供参考。

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。重庆大学电气工程学院研究员蒋华平受邀将出席论坛，并带来《碳化硅MOSFET动态阈值漂移》的主题报告，敬请关注！

河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式

碳化硅（SiC）技术领域的全球引领者 Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于近日发布了全新的第 4 代（Gen 4）技术平

Wolfspeed正稳步推进其位于北卡罗来纳州查塔姆县的50亿美元半导体工厂建设，该项目进展顺利，即将完工并投产

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国

被誉为电力电子系统心脏的功率器件，是实现电能变换和控制的核心，也是国计民生领域最为基础、应用最为广泛的元器件之一，其核心