晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，在7月21日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。
在未来，晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化，努力打造国内领先碳化硅材料提供商。
（来源：晶越半导体）
晶越半导体研制出高品质12英寸SiC晶锭
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