7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商——瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为 “创芯八载，无限热爱” 的 8 周年庆典。义乌经开区领导、股东代表、关键设备供应商与全体瞻芯人齐聚，共同见证浙江义乌晶圆厂(Yfab)第二期扩建洁净间启用和新设备搬入的重要时刻。

期间，瞻芯电子CEO 张永熙博士汇报了公司2025 年上半年工作动态：在“聚焦大市场大客户”的策略指引下，销售额稳步提升，义乌晶圆厂(Yfab)同步提升晶圆投片量和产品良率，助推产品交付量快速增长。目前，累计交付SiC MOSFET 2500万颗、驱动芯片逾7600万颗，公司上半年营收同比大涨 114%，下半年有望延续强劲增长态势。

八年耕耘：技术突破筑根基

2017年成立之初，海归博士团队创立瞻芯电子，以战略眼光扎根碳化硅(SiC)功率半导体和模拟芯片领域，如今团队已发展壮大到350 人以上覆盖全链条的人才梯队，为技术创新与产能落地提供了支撑。在技术研发方面，瞻芯电子持续创新突破。自2020年发布第一代平面栅 SiC MOSFET工艺和器件后，公司持续迭代开发第2代、第3代平面栅SiC MOSFET 工艺平台，推出650V~3300V电压平台近200款碳化硅(SiC)器件产品，核心参数比导通电阻(Rsp)达到国际一流水平。公司自主研发的“1200V碳化硅功率MOSFET成套工艺和车规级产品研发”项目，获评2022年上海市技术发明二等奖。

瞻芯电子同步创新开发驱动和控制芯片。其中最具代表性是比邻驱动®系列SiC专用栅极驱动芯片，集成了负压驱动、短路保护和故障报警等关键功能，帮助SiC MOSFET充分发挥性能优势，还有CCM模拟图腾柱PFC控制芯片，无需编程即可提供精确、快速且可靠的模拟控制信号，支持快速开发高性能开关电源，曾荣获第8届中国电源学会优秀产品创新奖。

瞻芯电子致力于提供 “SiC器件+模拟芯片 +应用方案” 的一站式解决方案，帮助应用系统实现小型化、轻量化、高效化。

产能跃迁：IDM 模式强供应

八年前，瞻芯电子以虚拟IDM的模式，同步开发碳化硅(SiC)工艺和器件产品，2020年完成中国第一批6英寸碳化硅(SiC)MOSOFET晶圆，奠定了IDM公司的根基。2022年，瞻芯电子建成浙江义乌碳化硅(SiC)晶圆厂，实现从碳化硅(SiC)器件/工艺开发，到晶圆制造的产业链条的整合，跻身中国领先的碳化硅(SiC)设计与制造( IDM) 商行列。

庆典当日启用二期洁净间后，浙江义乌碳化硅(SiC)晶圆厂洁净间面积翻倍，月产量将逐步增加到1万片6英寸晶圆，未来产能可持续扩展到30万片晶圆/年，大幅提升对新能源汽车、光伏与储能、充电桩、AI服务器电源等爆发性市场的供应保障能力。

初心不改：以热爱赴未来

CEO张博士表示：“八年创业之路，源于‘创芯无限’的梦想，从首颗芯片流片成功到千万级产品交付，从全套SiC工艺技术突破到建成车规级晶圆厂，每一步都凝聚着团队的热爱与坚持。”未来，瞻芯电子会继续深耕技术创新，扩大产能规模，完善客户服务网络，为客户提供更优质、可靠的碳化硅芯片解决方案，续写发展新篇。

（来源：瞻芯电子）