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最新报告出炉！IFWS2025:氮化镓功率电子及封装技术论坛——驱动能效革命，赋能AI芯动力

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。届时，名古屋大学助理教授（YLC-designated）王嘉将受邀出席论坛，并带来《通过镁插层增强氮化镓中的P型掺杂、接触性能和器件性能》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，大连理工大学教授黄火林将受邀出席论坛，并带来《氮化镓高压增强型功率器件与可靠性技术进展》的主题报告，敬请关注！

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

上海大学张建华教授、任开琳副教授团队与晶湛半导体合作，在基于GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的驱动/发光/探测单片集成器件方面取得重要研究进展。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

山东镓数智能科技有限公司的氮化镓单晶衬底项目已全面达产。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学新一代半导体材料研究院教授张雷将出席会议，并带来《大尺寸氮化镓和氮化铝晶体生长研究新进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效

随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损

8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，将为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化

球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科与联合汽车电子宣布成立联合实验室

汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。

苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32 × 25。本项研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。