氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，凭借3.4eV禁带宽度、远超硅20倍的电子迁移率，氮化镓正在推动消费电子、新能源、通信等行业的性能革新。2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）将在厦门召开。作为论坛重要技术分会，以"驱动能效革命，赋能AI芯动力”为主题的“氮化镓功率电子及封装技术论坛”最新报告议题出炉！
论坛特邀请：电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授、加拿大多伦多大学纳米制造中心主任吴伟东教授、香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任张宇昊教授、电子科技大学集成电路学院副院长陈万军教授联合主持，与来自日本名古屋大学、瑞士洛桑联邦理工学院、北京大学、电子科技大学、复旦大学、香港大学、大连理工大学、香港科技大学、南京大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院苏州纳米所、中国科学院近代物理研究所、九峰山实验室、扬州大学、天津工业大学、中国科学技术大学等国内外专家学者一道，围绕“材料设备—器件制造—封装测试—终端应用”产业链各环节技术热点，分享前沿技术动态及最新研究成果。
最新报告安排如下：
