近日，海信功率半导体推出搭载新一代自研微沟槽栅RC-IGBT芯片的智能功率模块——第二代600V/30A superHTIM。

相比上一代自研RC-IGBT，自研微沟槽栅RC-IGBT的元胞尺寸进一步缩小，功率密度大幅度提升，性能显著提升；具有175℃的最高工作结温特点，适配更加恶劣的应用环境，提高产品竞争力。

为什么选择第二代superHTIM模块？

高功率密度+低损耗+低热阻助力能效提升

海信功率半导体自研微沟槽栅RC-IGBT芯片依托微沟槽栅与窄台面设计，实现元胞尺寸缩减，载流子分布更优，功率密度实现跨越式增长。相较于上一代RC-IGBT，饱和电流增加30%，导通压降降低13%，开关损耗减少31%，产品性能指标得到全面升级。

更值得关注的是，模块采用超低热阻 AlN-AMB 封装散热结构，相比传统 Al₂O₃-DBC封装散热方案结构样品，实测热阻降低 51%，散热效率大幅提升，从“性能优化”到“散热升级” 双维度助力家电突破新一级能效标准。

全维防护 + 高结温 筑牢可靠性壁垒

第二代600V/30A superHTIM模块搭载800V栅极驱动芯片，该款驱动芯片集成了欠压保护、过流保护、过温保护等多重保护机制和温度信号输出功能，形成全方位安全屏障。

 搭载的新一代微沟槽栅RC-IGBT芯片具有175℃最高工作结温优势，模块可从容适配高温、高负荷等恶劣应用环境。无论是严苛的工业作业场景，还是长时间运行的家电设备，都能保障稳定输出，有效拓宽产品的应用边界。

广泛适用 一模块解决多场景需求

凭借高功率密度、低损耗、低热阻的核心特性，该产品完美契合家电行业能效升级趋势，可广泛应用于空调、冰箱、洗衣机等高端家电的变频控制场景；而高结温、高可靠性的优势，使其在变频器、伺服系统等工业领域同样具备极强适配性，确保长期运行的稳定性与耐用性。

海信功率半导体专注于为客户提供更高性能、更可靠的功率解决方案。第二代600V/30A superHTIM智能功率模块已全面量产。未来，更多海信功率半导体IPM产品将会搭载自研微沟槽栅RC-IGBT，推动全系列IPM产品迭代升级，以更优性能的产品赋能家电与工控行业高质量发展。