11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（（IFWS&SSLCHINA2025）于厦门召开。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、厦门大学（XMU）共同主办，惠新（厦门）科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
11-12日，本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨（ShortCourse）”开讲，业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题，深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势，跟踪产业前沿趋势，了解最新研发成果。 厦门大学特聘教授康俊勇，多伦多大学纳米制造中心主任、教授吴伟东共同主持了此次专题技术培训。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞
厦门大学特聘教授康俊勇
多伦多大学纳米制造中心主任、教授吴伟东
英国巴斯大学教授王望南
《基于UVC和InGaN的红光LED的挑战与最新进展》
基于UVC和InGaN的红光LED技术是当前Micro LED显示领域的研究热点，随着技术成熟，有望成为Micro LED全彩显示的核心解决方案。英国巴斯大学教授王望南分享了“基于UVC和InGaN的红光LED的挑战与最新进展”的主题报告，围绕深紫外LED、InGaN红光LED的挑战，着重分享了晶格与热失配、载流子浓度与迁移率：掺杂，光提取：吸收，高铟含量InGaN生长过程中的相分离现象，光提取效率，先进外延结构，活性层与载流子管理，低缺陷模板与缓冲层生长，高反射性接触电极，空穴注入效率等内容。
苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯
《MOVPE GaN外延基础》
MOVPE（金属有机化合物气相外延）是制备GaN（氮化镓）等半导体材料的关键技术，其高精度和工业化潜力，成为GaN基器件制备的核心手段，未来在柔性电子、深紫外器件等领域仍有拓展空间，仍面临着等晶格失配等挑战。苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯分享了“MOVPE GaN外延基础”的主题报告，详细解析MOVPE技术，分享GaN外延生长的工艺实践，具体介绍硅基GaN外延技术解决方案、硅基GaN LED结构生长，HEMT结构生长等，并展望Micro-LED全彩化、300毫米硅基氮化镓、氮化镓/碳化硅混合系统等前沿发展趋势。
电子科技大学教授邓小川
《高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战》
电子科技大学教授邓小川做了“高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战”的主题报告，从提升高压碳化硅MOSFTT器件的低导通电阻性能出发，结合当前国际主流厂商碳化硅功率器件的研究进展，重点介绍碳化硅MOSFET器件在实现低损耗特性方面的研究成果以及面临的关键技术挑战，包括降低导通电阻和寄生电容所采用的技术方法及其工作原理。同时也针对碳化硅MOSFTT器件瞬态可靠性问题，从UIS、短路特性、浪涌特性、阈值电压漂移以及宇宙射线辐射等角度介绍国内外最新研究成果，较系统探讨了现阶段主流平面栅和沟槽栅碳化硅器件在瞬态极端应力冲击下器件失效的内部物理机理，以及可靠性加固结构和方案。并对低损耗碳化硅MOSFET器件未来发展趋势进行小结和展望。
中国科学技术大学副院长、教授杨树
《氮化镓功率电子器件动态性能提升与抗辐照加固技术》
宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率电子器件能够在电力电子应用中提供高能效、高功率密度、高频小型化、耐受极端环境等优异性能，在消费类电子、数据中心、新能源汽车充电、激光雷达及航空航天等领域具有广阔应用前景。然而，常关型GaN功率电子器件在高频高速开关过程中仍面临由于多重陷阱效应导致的动态性能退化问题，在空间辐照等极端条件下还存在性能漂移甚至器件失效的挑战。中国科学技术大学副院长、教授杨树做了“氮化镓功率电子器件动态性能提升与抗辐照加固技术”的主题报告，报告中讨论了在高压、软/硬开关、高温、辐照条件下GaN功率电子器件动态性能退化机制，并探讨通过陷阱抑制/补偿、器件结构与工艺优化来提升GaN功率电子器件的动态性能与抗辐照能力。
香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊
《面向高压、高温及高功率的氧化镓器件及应用》
得益于大直径氧化镓晶圆及加工技术的突破，近年来氧化镓功率器件技术取得了飞速发展。全球范围内已出现大面积安培级氧化镓功率器件的报道，其研究范畴已从基础研究验证拓展至器件封装、电路级测试及耐久性评估。这些里程碑性进展使氧化镓成为唯一达到实用化商业化及应用关键阶段的超宽禁带半导体材料。香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊做了“面向高压、高温及高功率的氧化镓器件及应用”的主题报告，全面概述用于高压、高温及高功率应用的氧化镓器件，重点展示其拓展电力电子前沿领域的潜力。尤其通过采用多维器件架构，我们已成功实现击穿电压超过10千伏、工作温度稳定高于200°C的氧化镓二极管与晶体管。本课程将进一步探讨氧化镓功率器件的封装与稳健性策略。具体而言，采用结面冷却技术可有效缓解氧化镓的固有热限制，而独特双极异质结的集成则实现了雪崩击穿与浪涌电流的耐受性。并介绍首款兆瓦级功率容量多芯片氧化镓功率模块的实验验证成果。总体而言，器件创新、封装设计与可靠性提升的协同进展正在为氧化镓在下一代电力电子系统中的应用铺平道路。
香港科技大学教授张薇葭
《碳化硅功率 MOSFET 用有源栅极驱动器综述》
有源栅极驱动器（AGD）已成为一个有前景的领域，通过动态调节硬开关转换速率来提高功率MOSFET的效率和性能，实现效率和EMI抑制之间的校准权衡，并提供器件保护。香港科技大学教授张薇葭做了“碳化硅功率 MOSFET 用有源栅极驱动器综述”的主题报告，报告回顾碳化硅功率MOSFET的AGD拓扑结构，涵盖分段栅极驱动策略、转换速率调整技术和可靠性保护方案。主要关注并联电力系统中的短路保护、电流平衡和热管理等主题。对每种方法的优点、局限性和应用进行了比较和分析。
山东大学教授刘超
《垂直型氮化物功率器件》
氮化镓（GaN）和氮化铝镓（AlGaN）等宽禁带半导体凭借其相较于硅的卓越材料特性，为功率器件领域带来了变革性潜力。尽管横向氮化镓器件已在中功率应用领域取得商业成功，但垂直器件架构对于下一代高压、高功率密度系统的实现至关重要。山东大学教授刘超做了“垂直型氮化物功率器件”的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展，涉及采用导电缓冲层和氟离子注入终端（FIT）技术的1.5千伏全垂直氮化镓-硅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（FV-MOS）。氧等离子体处理技术等。
课程现场
（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）