10月11日，在北京市市场监督管理局主办的“在京全国标委会与北京市重点产业企业对接会成果发布暨第56届世界标准日主题活动”上，在成果发布环节，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。
该标准创新性突出，体现了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管动态反偏试验方法在半导体集成电路领域的应用，提出了高频高压应用工况下，漏源电压高dV/dt可靠性评价方法，弥补了标准空白领域，为产业提供了科学、合理的测试评估解决方案，有效支撑第三代半导体产业的发展，具有显著的社会效益和经济效益。
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