近日，英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。
第三代700V GaN相较于Gen2.5来说，核心性能得到大幅跃升，通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，芯片面积缩减30%，助力实现更高功率密度；设计开关性能提升20-30%，电容降低20-30%，有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率；热性能优化，在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性。
其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。得益于更低的导通电阻(Ron)和开关损耗，第三代700V GaN系列为PD快充/适配器 (尤其高功率)、LED照明驱动电源、智能家电电源、数据中心服务器电源、工业开关电源(SMPS)等应用领域带来更高效率、更小尺寸的解决方案。
“第三代700V GaN通过实质性的核心参数优化，整体提升系统能效，并提供与现有方案兼容的标准封装和平滑升级路径，为电源设计工程师提供了创新的高性能解决方案，是实现更高功率密度、更高系统效率设计目标的理想选择。”英诺赛科相关负责人介绍。
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造，公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。