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汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

7月21日下午，姜堰高新区举行项目签约仪式，现场成功签约总投资10亿元的成都芯盟微半导体芯片封装项目，以及总投资5亿元的半导体

苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32 × 25。本项研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称盛美上海）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应

欧洲芯片巨头意法半导体（STMicroelectronics，STMPA.PA）于当地时间周四宣布，将以现金形式收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors，NXPI.O）旗下传感器业务部门

姜堰高新区举行项目签约仪式，现场成功签约总投资10亿元的成都芯盟微半导体芯片封装项目和总投资5亿元的半导体真空泵及配件项目。

近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

日本芯片制造商Rapidus斥资340亿美元的2nm芯片项目已宣布启动测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。

7月21日，据陕西新闻联播报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体生产线目前已进入冲刺通线的关键节点，计划九月份开始

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。

7月16日，兆驰股份旗下孙公司江西兆驰集成举办光通激光外延与芯片产品线通线仪式。据悉，兆驰集团于2024年12月20日宣布投建年产1

重庆奥松半导体特色芯片产业基地迎来重大里程碑：其8英寸生产线首台光刻机设备在众人瞩目下平稳进场。

7月14日，华海清科股份有限公司全资子公司芯嵛半导体（上海）有限公司自主研发的首台12英寸低温离子注入机iPUMA-LT顺利出机，并

据娄星区融媒体中心消息，7月11日，湘芯半导体生产基地（一期）项目举行封顶仪式，项目达产后，将形成年产3万件半导体设备用核心

依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

中宜创芯宣布成功将碳化硅粉体纯度突破8N，粉体纯度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行业纪录。