上海芯上微装科技股份有限公司(AMIES)再传捷报:公司自主研发的首台350nm步进光刻机(AST6200 )正式完成出厂调试与验收,启程发往客户现场,标志着我国在高端半导体光刻设备领域再次实现关键突破!
11月25日,上海芯上微装科技股份有限公司(AMIES)再传捷报:公司自主研发的首台350nm步进光刻机(AST6200)正式完成出厂调试与
为紧抓化合物半导体产业爆发机遇,进一步发挥珠海产业及应用市场优势,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)将于2025年12月
12月6-7日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”将在珠海高新区香山会议中心举办。届时,珠海光库科技股份有限公司研发副总经理邓剑钦受邀将出席论坛,并分享《高可靠性激光芯片封装工艺介绍》的主题报告,敬请关注!
微环控半导体装备微环境控制研发总部基地等项目签约落地武汉光谷
11月11-14日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、厦门大学(XMU)共同
11月11-14日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、厦门大学(XMU)共同
11月11-14日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、厦门大学(XMU)共同
11-12日,本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨(ShortCourse)”开讲,业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题,深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势,跟踪产业前沿趋势,了解最新研发成果。
近日,南京国博电子股份有限公司(以下简称国博公司)与国内头部智能移动终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片,在手机等
10月28日,在内江高新区高铁片区,长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目开工。二期项目投产后,将显著提升内江在半
据内江高新官微消息,10月28日,长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目正式开工建设。据悉,长川科技于2021年9月落
10月28日,位于无锡锡山经济技术开发区的三月科技综合技术研发中心暨新型光电材料高端生产基地项目正式开业。江苏三月科技股份有
近日,国家工业和信息化部正式公布第七批专精特新小巨人企业名单。我司凭借核心技术突破、研发创新能力以及行业领先地位成功通过
苏州东微半导体股份有限公司(“东微半导体”,证券代码:688261)与苏州晶湛半导体有限公司(“晶湛半导体”)于10月17日联合宣布,双方已达成战略合作,共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。
由中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办的“2025(中国·鹤壁)半导体光电产业研讨会——半导体激光器的时代机遇”将于2025年11月28日至29日在河南省鹤壁市召开
11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十二届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于厦门召开。 届时,浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛,并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告,敬请关注!
天成半导体官微宣布,继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后,又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料,12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。
11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时,山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛,并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告,全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注!
无锡吴中高新项目建设接连刷新进度条三环集团华东区研发制造总部项目即将竣工备案。
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