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国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利，公开号CN 118888436

国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号 CN 118888448 A，申请

国家知识产权局信息显示，上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利，公开号 CN 118881

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为一种光刻机对准方法的专利，公开号CN 118838133 A，申请日期为

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为掩膜版图形及其优化方法的专利，公开号 CN 118838110 A，申请日期

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及制备方法的专利，公开号CN 118829192 A，申请日期为2023

国家知识产权局信息显示，深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利，授权公告号CN 221885077 U，申请日期为2024

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

工业和信息化部、国家发展改革委、财政部、国务院国资委、市场监管总局、国家数据局等六部门近日联合印发通知，部署开展2024年度

国家机关事务管理局、中共中央直属机关事务管理局联合印发了《关于做好中央和国家机关新能源汽车推广使用工作的通知》

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为

国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法的专利，公

国家知识产权局信息显示，江苏集芯先进材料有限公司申请一项名为大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置的专利，公开号CN 118756340

10月17日，东湖高新区举办新闻发布会，正式发布《促进未来产业发展实施方案》。《方案》立足国家定位特殊、武汉科教特长、光谷产