半导体产业网讯:在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,因其卓越的性能而备受关注。然而,高品质低成本
专利摘要显示,本发明涉及 一种 8 英寸碳化硅晶圆单 面抛光方法,采用半径小 于 8 英寸的陶瓷盘对 8 英 寸碳化硅晶圆进行单面 抛
天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布,申请公布日为2025年2月14日
四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司(Singapore TOPO electronic Pte, LTD)成功签署合作协议
三安光电表示,重庆三安的衬底产品已稳定供应安意法产线,随着产能爬坡,成本优势将进一步显现。
博世汽车电子中国区(ME - CN)在苏州五厂正式建成碳化硅(SiC)功率模块生产基地,这一里程碑式进展标志着博世在碳化硅功率模块生产领域迈入全新阶段。
3月11日,瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供
3月7日,中国(福建)自由贸易试验区厦门片区管理委员会发布消息,瀚天天成电子科技(厦门)有限公司的8英寸碳化硅外延晶片厂房
河北保定近日迎来第三代半导体产业重要突破河北同光半导体股份有限公司国家级企业技术中心正式揭牌,同时年产20万片碳化硅单晶衬
近日,“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”期间,浙江大学特聘研究员、博士生导师任娜带来”基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管“的主题报告。
近日,“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。“分论坛一:8英寸碳化硅晶圆智能制造”上,泰克科技大中华区技术总监张欣出席论坛,并带来”从参数测试到可靠性验证 新型功率器件的特性表征“的主题报告。
近日,“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。“分论坛一:8英寸碳化硅晶圆智能制造”上,赛迈科先进材料股份有限公司CTO、副总经理吴厚政,做了“精细石墨元件:化合物半导体高质量产业化的关键支撑”的主题报告。
2025功率半导体制造及供应链高峰论坛上,河南中宜创新芯发展有限公司董事长兼总经理孙毅,带来了“碳化硅半导体粉体进展”的主题报告。
碳化硅技术赋能产业升级! 山大华天亮相2025功率半导体制造及供应链高峰论坛
国内功率半导体 IDM 企业士兰微电子宣布,其投资 70 亿元建设的厦门海沧区 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生产线(一期)已
2月28日,瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2),为光伏等领域提供了高电压、高功率密
据海沧区融媒体中心消息,士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目正式全面封
据海沧区融媒体中心消息,士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目正式全面封
2月27日,“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。28日精彩继续,“分论坛一:8英寸碳化硅晶圆智能制造”,围绕8英寸晶体、外延及器件技术 大规模生产制造、关键耗材及制造工艺优化,关键材料及工艺装备、器件及可靠性设计,SiC 器件设计及产品创新应用等主题,来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨,追踪最新进展。
半导体产业网讯:2月27日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度
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