据科技新报报道，9月2日，格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。董事长张忠杰表示，格棋目前的技术实力已经达到业界第一、第二的水准，同时积极布局更大尺寸的长晶炉，并在研发阶段展开相关规划。

格棋化合物半导体成立于2022年，是一家位于中国台湾的碳化硅长晶厂商。主要产品包括6英寸及8英寸N型晶体，以及6英寸N型碳化硅衬底、晶锭等，应用于电动车及能源基础建设等领域。

张忠杰强调，6吋平台现阶段仍为公司量产主轴，具备规模效益与良率控制优势；同时，8吋晶种长晶与热场模组设计已完成前期验证，后续将依据客户产品世代转换与应用需求，适时导入8吋制程平台，确保良率稳定性与成本效益的最佳平衡。

在产能部署方面，格棋预计于2025年底将长晶炉数量扩增至百台规模，搭配自主切割与检测能力，建构可控交期、弹性扩产的完整量产体系。目前产品线已支援多项高功率应用，包括电动车主驱模组、光储逆变器与AI高效伺服器，并陆续进入国际客户验证流程。

格棋也透露，目前6吋和8吋机台已可以调控共用，随着第四季日韩客户放量，也跟两、三间公司洽谈LTA（Long Term Agreement），并积极布局12吋厂规划，顺利的话，明年上半年将分别扩充8吋和12吋产能，而8吋产能预期将翻倍。

目前，格棋已同步启动北美、日本与欧洲等区域合作计划，未来将依据业务拓展进程设立技术服务据点，提供贴近需求的材料建议与应用支援，加速碳化硅在全球高功率应用的落地进程。

据悉，2023年10月，格棋宣布成功完成了15亿新台币（约3.33亿人民币）的A轮融资，用于推进6吋SiC生产线的小规模试量产，同时寻求更大的新厂房土地展开大量生产。

2024年10月，格棋位于桃园中坜区的新工厂落成，总投资金额达6亿新台币（约合1.33亿人民币），规划6英寸碳化硅衬底月产能5000片。2024年底前，新厂安装了20台8英寸长晶炉及100台6英寸长晶炉。此外，格棋还计划投资57亿元新台币（约12.73亿人民币）于中坜工业区兴建新厂房及扩建产线。