第三代半导体产业数字化公共服务平台

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东将受邀出席论坛，并带来《一种具备自动时序功能适用于碳化硅功率MOSFET的智能动态栅极驱动器》的主题报告，敬请关注！

本参考设计展示了如何使用碳化硅 (SiC) MOSFET 来优化电动汽车辅助电机、暖通空调 (HVAC) 及其他类似应用中的电机驱动性能。该设

芯联集成与理想汽车隆重举办理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式

仙港工业园管委会在会上与奈沛米（上海）半导体有限公司成功签下一个重磅协议项目——第三代碳化硅功率半导体封测制造项目，为园区发展注入了新的活力。

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学/教授、广州南砂晶圆半导体技术有限公司/技术总监杨祥龙将出席会议，并带来《8/12英寸碳化硅单晶衬底材料的研究进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，北京天科合达半导体股份有限公司CTO刘春俊将受邀出席论坛，并带来《大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展》的开幕大会主旨报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

方正微电子副总裁/产品总经理彭建华发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品

格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

近日，特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，连城数控半导体装备事业部/连科半导体有限公司总经理胡动力受邀将出席会议，并带来《8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向》的主题报告，敬请关注！

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革