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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为

国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法的专利，公

国家知识产权局信息显示，江苏集芯先进材料有限公司申请一项名为大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置的专利，公开号CN 118756340

10月17日，东湖高新区举办新闻发布会，正式发布《促进未来产业发展实施方案》。《方案》立足国家定位特殊、武汉科教特长、光谷产

工业和信息化部、国家发展改革委近日联合印发《新材料中试平台建设指南（2024—2027年）》

10月13日，由山东省科技厅指导，山东省创新发展研究院(以下简称省创发院)和国家信息通信国际创新园服务中心共同主办的山东集成电

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国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件结构及其制备方法的专利，公开号 CN 118748202

“智慧健康照明技术及应用”主题分会上，来自南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心（南昌实验室）、朗德万斯、江西省应用光学技术重点实验室、金鉴实验室、勤上光电、升谱光电、同方股份等实力派代表性企业机构的嘉宾们带来精彩报告

近日，北京市经济和信息化局发布了北京市第六批专精特新小巨人企业和第三批专精特新小巨人复核通过企业名单。顺义区第三代半导体

国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

武进国家高新区—常州大学化合物半导体创新联合体正式签约揭牌

2024年6月24日，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，党和国家领导人出席大会并为获奖代表颁奖。据悉，2

国家新能源汽车技术创新中心与长城汽车股份有限公司共同揭牌成立“车规级芯片联合实验室”

新华社北京5月30日电国务院总理李强日前签署国务院令，公布《国务院关于修改〈国家科学技术奖励条例〉的决定》(以下简称《决定

4月16日，国家重点研发计划单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究项目启动暨实施方案论证会在济南召开。山东大学副校长芦延

晶能微电子项目：厂房建设按下快进键昨天上午，走进位于嘉兴国家高新区（高照街道）唯胜路与八字路段的晶能微电子项目建设现场，

据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法，授权公告号CN114373837B，申请