第三代半导体产业数字化公共服务平台

6月10日，国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项氧化镓单片功率电子集成器件研究项目启动会暨实施方案论证会在中山大学东

近日，工信部公示首批重点培育中试平台初步名单。人福医药创新药中试平台、鼎康生物重组蛋白药物中试平台、华中数控全国产化芯片和操作系统高档数控系统中试平台、九峰山实验室化合物半导体中试平台、华星光电柔性及印刷OLED 显示中试平台、国创中心数字化设计与制造中试平台等6家光谷中试平台入选。

日前，经国务院同意，工业和信息化部、国家发展改革委、教育部、科技部、财政部、市场监管总局、金融监管总局、国家知识产权局、

国务院新闻办公室于2025年5月7日上午9时举行新闻发布会，请中国人民银行、国家金融监督管理总局、中国证券监督管理委员会负责人介绍“一揽子金融政策支持稳市场稳预期”有关情况，并答记者问。

近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为一种发光器件的制备方法及发光器件的专利，公开号 CN 119836082 A

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司取得一项名为模式调控

近日，电科芯片所属西南设计牵头制定的国家标准《半导体集成电路-射频发射器/接收器测试方法》正式实施。该标准规定了半导体集成

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法的专利，公开号 CN 1197

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号CN 119767774

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

国家知识产权局信息显示，苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的

谁能把握大数据、人工智能等新经济发展机遇，谁就把准了时代脉搏。国家主席习近平在金砖国家领导人第十四次会晤上的重要讲话（20

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为半导体结构的制备方法及半导体结构的专利，公开号 CN 119626900 A，申