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据金桥集团官微消息，近日，国产集成电路装备领军企业华海清科（上海）半导体有限公司（以下简称华海清科）签约落地金桥装备小镇

据看黄埔公众号消息，粤芯半导体技术股份有限公司目前已完成12英寸集成电路数模混合特色工艺生产线项目（四期项目）备案。据悉，

氮化物半导体深紫外LED技术现状及应用

英特尔与印度塔塔集团旗下塔塔电子正式签署战略合作备忘录，双方计划在半导体制造、封装测试及人工智能计算等多个层面展开深度合作。

玻璃基Micro-LED（COG-基于TFT背板的玻璃基 Micro-LED 技术）领军企业辰显光电与高端半导体装备制造商新益昌正式签订战略合作框架协议。

年产5000万片超宽禁带晶圆级半导体散热片项目、万州半导体器件模组产业化项目、粤芯半导体12英寸集成电路项目（四期项目）、功率半导体用高性能AMB陶瓷基板项目、柔性高密度超薄覆晶铜箔基板生产基地项目、燕东微北电12英寸集成电路生产线项目、合肥芯谷微电子微波器件及模组项目迎来新进展。

林州市人民政府对河南赛米金石半导体有限公司年产5000万片超宽禁带晶圆级半导体散热片项目（一期）环境影响报告表受理情况进行公示。

半导体器件模组产业化项目总投资9亿元，由先导集团所属重庆先越光电科技有限公司实施，将助力万州补上至关重要的封装环节，打造从原材料金属镓到化合物半导体芯片到器件模组的完整产业链。

粤芯半导体技术股份有限公司目前已完成12英寸集成电路数模混合特色工艺生产线项目（四期项目）备案。

小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作的论文成功入选，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分会场首个亮相。

国际电工委员会（IEC）近日发布由我国牵头修订的两项功率半导体器件领域关键国际标准《半导体器件第2部分：分立器件整流二极管

氮化镓（GaN）材料具备禁带宽度大、临界击穿电场高、易于形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半

鄂州市华容区红莲湖半导体产业园迎来项目建设密集落地节点——武汉星辰智能电子有限公司、湖北捷云电子科技有限公司、武汉华飞龙产业发展有限责任公司、武汉万芯达光电科技有限公司四家企业同日启动项目建设，总投资额合计达2.53亿元。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

苏州外延世电子材料有限公司二期半导体项目开工仪式隆重举行。

经过15个月的紧张施工，总投资约12亿元、建筑面积30余万平方米的池州经开区半导体特色生态产业园项目主体工程目前已完工，进入附属工程收尾阶段，计划于本月底交付使用。

据光谷动态消息，武汉光谷高新四路上的芯片厂，国内领先的半导体特色工艺12英寸晶圆代工企业武汉新芯集成电路股份有限公司，扩建