第三代半导体产业数字化公共服务平台

蜂巢能源（SVOLT）将在2025年1月前结束蜂巢能源科技（欧洲）和德国子公司的运营，裁员人数不详。

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

泛半导体产业园位于武汉经开综合保税区，由经开产投集团承建，项目总投资约3.4亿元。

杭州镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破

2024年11月17日，STR China Seminar 2024--仿真模拟研讨会将于苏州市国际博览中心G馆107室。

10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州

10月22日上午，华瑞微滁州总部召开了一期B扩产项目启动会，公司董事长刘海波主持会议，分管领导及各部门负责人出席了会议。董事

天眼查显示，华海清科股份有限公司驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

10月21日下午，2024创新海门共赢未来海门新一代信息技术产业投资促进功能区揭牌仪式在謇公湖科创中心成功举办。2024年4月，海门

美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。

10月24日，2024湖北人工智能产业发展大会举行，光谷人工智能产业园正式揭牌，9家企业与武汉人工智能计算中心及武汉超算中心签约

国新办10月23日下午举行新闻发布会，介绍2024年前三季度工业和信息化发展情况。工业和信息化部新闻发言人、总工程师赵志国表示，

10月24日，2024湖北人工智能产业发展大会举行，光谷人工智能产业园正式揭牌，9家企业与武汉人工智能计算中心及武汉超算中心签约

10月23日，落户火炬高新区的永泰光电激光雷达模组研发生产基地项目取得施工许可证，而就在前一天的10月22日，该项目用地成功摘牌

2024年10月23日，纵慧芯光官宣随着最后一方混凝土的浇筑，3英寸化合物半导体芯片制造项目封顶仪式圆满完成。据中电三公司8月消息

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

亨科新材料（江苏）有限公司半导体超纯流体配件制造项目开工建设。

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为