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2025云南晶体大会前瞻|中电科第四十八研究所谢添乐:宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案

 头图

9月26-28日,“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时,中国电子科技集团公司第四十八研究所工艺负责、高级工程师谢添乐将受邀出席论坛,并带来《宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案》的主题报告,敬请关注!

20-谢添乐

嘉宾简介

谢添乐,博士,高级工程师,就职于中国电科48所半导体装备研究部,任研究部工艺总负责人,长期从事宽禁带化合物半导体外延工艺开发与MOCVD装备研制相关工作,发表SCI论文十余篇,主持或参与省部级重点研发项目近十项,项目累计金额超2亿元,其中作为工艺总负责人研制的6-8英寸SiC外延装备核心技术指标行业先进,并实现了大规模销售,市场规模超5亿元。 

单位简介

中国电子科技集团公司第四十八研究所(以下简称48所),又名长沙半导体工艺设备研究所,1964年成立于长沙市,是中国电子科技集团有限公司所属的国家级半导体工艺设备研究所。

48所技术力量雄厚,专业门类齐全,是国内主要从事“三束”(离子束、分子束、电子束)装备、第三代半导体装备、集成电路装备研发以及锂电材料装备、光伏电池装备、磁性材料装备、冶金材料装备、特种传感器与系统、成套装备解决方案等技术为主的军民两用型骨干科研生产单位。

48所现有在职职工1500余人(含管理的公司)。拥有国家第三代半导体技术创新中心(湖南)、国防科技工业有源层优化生长创新中心、国家光伏装备工程技术研究中心、中国-埃及可再生能源“一带一路”实验室等5个国家部委级平台和薄膜传感湖南省国防重点实验室等4个省部级平台和博士后科研工作站。

48所始终立足于行业科技发展的最前沿,努力提高自主创新能力,先后取得重大科研成果400余项,其中填补国内空白148项、达到国际先进水平141项、列为国家替代进口119项,拥有知识产权505项,其中发明专利310项,软件版权77项,制定国家标准3项,国家军用标准1项,行业标准30项,发布SEMI标准11项。、 

报告前瞻

报告题目:宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案

报告摘要:以SiC、GaN、Ga2O3为代表的宽/超宽禁带化合物半导体材料因具有高击穿场强、高热导率、高电子饱和速率、抗辐射性能好等物理特性,已成为未来高性能电子系统的核心材料,其应用覆盖能源、交通、通信、国防等关键领域,对全球科技竞争和产业升级具有决定性意义。随着技术突破与产业化加速,其市场规模预计将从2023年的约50亿美元增长至2030年的300亿美元以上。本报告将以器件发展趋势为牵引,分析现阶段SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带化合物半导体外延工艺特点及遇到的瓶颈问题,提出外延工艺所需的装备的功能及性能指标,并从装备研制的视角出发,通过采用机理分析、模拟仿真等多种手段助力关键零部件正向设计,最终形成一系列宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案。

附会议信息: 

【会议时间】 2025年9月26-28日

【会议地点】云南·昆明 

【指导单位】

  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

  中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

【主办单位】

  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

 极智半导体产业网(www.casmita.com)

 半导体照明网(www.china-led.net)

 第三代半导体产业

【承办单位】

云南鑫耀半导体材料有限公司

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【支持单位】

赛迪智库集成电路研究所

 中国科学院半导体研究所

 云南大学

 山东大学

 云南师范大学

 昆明理工大学

 晶体材料全国重点实验室

.....

【关键材料】

1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究;

【主要方向】

1.化合物半导体单晶与外延材料

(砷化镓,磷化铟,氮化镓,碳化硅,氮化铝,氧化镓,氮化硼,蓝宝石,铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等)

2. 硅、高纯锗及锗基材料

(大硅片生长及及应用,直拉法或区熔法等单晶生长,原料提纯,GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜,切片与机械抛光,掺杂调控离子注入等) 

3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备

(高纯前驱体,高纯试剂,高纯气体,高纯粉体, 长晶炉,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生长装备,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及抛光设备与材料,检测设备等)

4.测试评价及AI for Science

(AI 驱动的测试评价革新, 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复,多尺度建模,绿色制造优化 等)

5.光电子器件工艺与应用

(发光二极管,激光二极管,光电探测器件,太阳能电池,照明与显示,激光雷达,光通信,量子技术等)

6.通讯射频器件工艺与应用

(功率放大器,低噪声放大器,滤波器,开关器件,移动通信,卫星通信,低空飞行器,无人机,射频能量等)

7.能源电子及应用

(风电&光伏&储能新能源,电动汽车,数据中心,工业电源,电机节能,轨道交通,智能电网,航空航天,工业控制,变频家电,消费电子,仪器仪表等)

8.绿色厂务及质量管控

(洁净厂房,高纯水制备,化学品供应,特气供应,废气处理及排放,废液处理,大宗气体供应及质量管控等)

【程序委员会】

大会主席:惠峰 (云南锗业)

副主席:陈秀芳(山东大学)、赵璐冰(CASA)

委员:赵德刚(中科院半导体所)、康俊勇(厦门大学)、 徐宝强(昆明理工)、皮孝东(浙江大学)、耿博(CASA)、王军喜(中科院半导体所)、孙钱(中科院苏州纳米所)、王垚浩(南砂晶圆)、 涂洁磊(云师大)、王宏兴(西交大)、彭燕(山东大学)、李强(西交大)、宁静(西电)、修向前(南京大学)、郭杰(云师大)、王茺(云南大学)、邱峰(云南大学)、杨杰(云南大学)、谢自力(南京大学)、葛振华(昆明理工大学)、田阳(昆明理工大学)、魏同波(中科院半导体所)、许福军(北京大学)、徐明升(山东大学)、孙海定(中国科学技术大学)、田朋飞(复旦大学)、刘玉怀(郑州大学)、朱振(浪潮华光)、杨晓光(中科院半导体所)、高娜(厦门大学)、陈飞宏(云南锗业)、康森(天通控股)、解楠(赛迪研究院 )、房玉龙(中电科十三所)、邓家云(昆明理工大学)、李宝学(云锗红外) ......等

【日程安排】

日程

【拟参与单位】

中科院半导体所、鑫耀半导体,南砂晶圆,蓝河科技,天通控股,中电科十三所,南京大学,厦门大学,士佳光子,云锗红外,昆明理工大学,西安电子科技大学,中科院物理所,中电科四十八所,陕西源杰,九峰山实验室,中微公司,矢量集团,晶盛机电,连科半导体,晶澳太阳能  美科太阳能 高景太阳能   中研科精密 华夏芯智慧光子,国联万众,凝慧电子,晶湛半导体,英诺赛科,中光睿华,连城数控,云南大学,阿特斯阳光电力,山东大学,云南师范大学,中科院技物所,隆基电磁, 晶镓半导体,南砂晶圆、西安聚能超导,苏州纳维,中科院物理所,浙江大学,云南锗业,通美晶体,三安光电,电子科技大学,深圳平湖实验室,中科院长春光机所,广东工业大学,南方科技大学, 隆基绿能,合盛硅业,中光睿华,复旦大学,中国科学技术大学, 西安交通大学,江苏第三代半导体研究院, 光迅科技,镓和半导体 全磊光电 新易盛  昆明物理所,科友半导体,STR,河北同光,香港科技大学,深圳纳设 中科院苏州纳米所,中科院上海光机所,哈工大等等 

【活动参与】

1、注册费:会议通票2800元;早鸟票:9月20日前注册报名2600元;(含会议资料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、缴费方式:

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 

②在线注册

报名二维码

扫码注册报名

③现场缴费(微信+支付宝)

【论文投稿及报告咨询】

贾老师:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老师:18601994986,linan@casmita.com 

【参会参展及商务合作】

贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

张女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【会议酒店】

酒店名称:昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店

酒店地址:中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园

协议价格:430元/晚(含双早)

酒店预定联系: 陈经理,13759452505(微信同号)

邮箱:13759452505@139.com

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