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作为IFWS的重要技术分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉！

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州

远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试

当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术，并率先在

据报道，7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化

2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子

近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN（氮化镓）

天眼查显示，大连理工大学氮化镓气体传感器及其制备方法、应用专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117761126A

进入21世纪以来，以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。

深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（> 106）和极高的光探测率（6.13×1014），实现了紫外到可见、近红外区域的宽光谱检测。

这个问题促使香港科技大学和中国其他三所机构的16名研究人员组成的团队不断思考。经过多年努力，他们终于成功制造出一种晶体管，他们称之为混合场效应晶体管（HyFET）。

GaN技术正处于一个充满机遇的阶段，其发展前景十分广阔。尽管相较于硅或GaAs，GaN仍是一项相对年轻的技术，但其进步速度之快令人

太原理工大学周兵课题组和武汉大学袁超课题组合作，先后在国际权威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，发表研究论文。

据中国科学院微电子研究所消息，近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga