第三代半导体产业数字化公共服务平台

新华社北京5月30日电 国务院总理李强日前签署国务院令，公布《国务院关于修改〈国家科学技术奖励条例〉的决定》(以下简称《决定

4月16日，国家重点研发计划单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究项目启动暨实施方案论证会在济南召开。山东大学副校长芦延

晶能微电子项目：厂房建设按下快进键昨天上午，走进位于嘉兴国家高新区（高照街道）唯胜路与八字路段的晶能微电子项目建设现场，

据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法，授权公告号CN114373837B，申请

3月26日，2024临港科创大会在上海临港（600848）中心隆重召开。在市委市政府、临港管委会各位领导的见证下，长三角国家技术创新

据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备，公开号CN117766402A，申请日期为2023

集成电路作为支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业近年来也备受关注。

据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为半导体装置，公开号CN117650166A，申请日期为2023年10月。专利摘要

2月23日，记者从中国政府网获悉，国务院任免国家工作人员，任命单忠德为工业和信息化部副部长。单忠德，1970年1月出生，山东高密

2024年1月30日，中机新材董事长陈斌专程拜访山东大学徐现刚教授。此次会面，双方不仅进行了深度的交流，更在多个领域达成了共识。

据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代

1月19日上午，国家工程师奖表彰大会在人民大会堂举行，81名个人被授予国家卓越工程师称号，50个团队被授予国家卓越工程师团队称

2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为构件、晶体管器件、功率器件及制造构件的方法，公开号C

在国务院新闻办公室今日举行的发布会上，国家发展改革委政策研究室主任金贤东介绍，我国新能源汽车产销量占全球比重超过60%、连

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为一种高动态稳定性的GaN器件，公开号CN117410327A，申请日期为2023年1月。专利摘要显

国家第三代半导体技术创新中心（南京）牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为一种半导体器件结构及其制备方法和应用，公开号CN117293183A，申请日期为2023年9月

据上海临港公众号，为推动临港新片区新材料产业发展，培育新的增长极，依据国家工信部《十四五原材料工业发展规划》、上海市《夯

国家自然科学基金委部署“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划

12月15日消息（南山）据国家知识产权局，中国科学院半导体研究所近日公开了一项集成光子芯片专利，公开号：CN117170016A。专利简