第三代半导体产业数字化公共服务平台

2028 年全球移动终端射频前端市场将达到 269 亿美元，年均增长率约为 5.8%。

第8.6代金属掩膜版生产线项目在黄石经济技术开发区开工。

英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。

在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经

大族激光与欧姆龙自动化在大族激光全球智造中心正式签署战略合作协议

市调机构Counterpoint research发布2024年第三季度的数据调研，公布了该季度半导体营收、代工厂市场份额及智能手机应用处理器（AP）的市场份额排名。

思特威全球总部园区项目封顶仪式在浦东新区隆重举行

进入第四季度以来，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目正开足马力，抢抓施工

雅克先科电子材料项目点火仪式暨全球合作供应链大会在彭州市经济开发区丽春航空动力产业园启动。

今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日，英诺赛科

12月17日，Cree LED宣布与达科（Daktronics）签署一项为期多年的全球专利许可协议，该协议将于2024年12月生效。Cree LED将在协议

2025年4月23-25日，九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航，现诚挚邀请全球化合物半导体技术领域的专家学者、行业领航者及创新先锋莅临盛会，发表精彩演讲，共享智慧火花，携手点亮化合物半导体行业的辉煌未来。

在来自全球的4000家企业已注册参展的档口，出了“幺蛾子”，大量中国企业人员签证申请被拒

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300mm，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。

压力之下，闻泰科技如何在逆境中找到破局之道，不仅稳固了市场地位，更实现了业绩的飞跃？

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

10月20日，光模块研发制造商武汉恩达通科技有限公司（简称恩达通）与东湖高新区签订合作协议，在东湖综保区建设恩达通总部及全球

当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术，并率先在